AFT05MS006N_6.0 W连续波，136-941 MHz，7.5 V

AFT05MS006NT1专为频率范围在136至941 MHz之间的手持双向对讲机应用而设计。这些器件具有高增益、耐用性、宽带性能，适用于手持对讲机设备中的大信号、共源放大器应用。

产品详情

特征

运行频率在136到941 MHz之间
未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
集成的ESD保护
集成的稳定性增强功能
宽带 - 整个频段全功率
卓越的热性能
非常耐用
高线性度：TETRA、SSB
符合RoHS规范
采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个，16 mm卷带宽度，7英寸卷盘。

输出级VHF频段手持无线电
输出级UHF频段手持无线电
输出级700-800 MHz手持无线电

RF Performance Tables

窄带性能

(7.5 Vdc，I_DQ = 100 mA，T_A = 25°C，连续波)

频率 (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	输出功率 (W)
520⁽¹⁾	18.3	73.0	6.0

宽带性能

(7.5 Vdc，T_A = 25°C，连续波)

频率 (MHz)	输入功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)	输出功率 (W)
136-174	0.19	15.5	60.0	6.0
440-520⁽²⁾	0.15	16.3	65.0	6.4
760-870⁽³⁾	0.20	15.2	58.5	6.7

耐用性，520 MHz

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
520⁽¹⁾	连续波	>65:1 所有相角	0.12 (3 dB 过驱)	10.8	无器件退化

1. 在520 MHz窄带测试电路中测量。
2. 在440-520 MHz UHF宽带参考电路中测量。
3. 在760-870 MHz UHF宽带参考电路中测量。

文档

快速参考恩智浦文档类别.

5 文件

^数据手册
AFT05MS006NT1 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

PDF版本 0Feb 24, 2014934.8 KBAFT05MS006NEnglish
^应用笔记
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

PDF版本 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955English
^应用笔记
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF版本 3May 13, 2009910.7 KBAN1907English
^封装信息
98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins

PDF版本 AFeb 15, 201655.3 KBSOT1811-2English
^支持信息
Airfast^® Mobile Radio Solutions

PDF版本 0Mar 12, 2014907.1 KBAIRFAST_MOBILE_RADIO_TRN_SIEnglish

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^模型
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HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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AFT05MS006N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019 00:00:00217.8 KBAFT05MS006N_MDL_ADS
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AFT05MS006NT1 S-Parameters

S2P版本 0May 13, 2014 00:00:0030.5 KBAFT05MS006N_SP
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AFT05MS006N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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AFT05MS006N 760-870 MHz Broadband PCB DXF file

ZIP版本 0Feb 21, 2014 00:00:0018.2 KBAFT05MS006N_760_870_PCB
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136-941 MHz，6.0 W，7.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管

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窄带性能

宽带性能

耐用性，520 MHz

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98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins

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