450-1500 MHz,10 W,28 V宽带射频功率LDMOS

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特征

  • 960 MHz时的典型双频性能:VDD = 28 V,IDQ = 125 mA,输出功率 = 10 W PEP
    功率增益:18 dB
    漏极效率:32%
    IMD:–37 dBc
  • 在28 Vdc,960 MHz,10 W连续波输出功率时,能承受10:1 VSWR
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 片上射频反馈,实现宽带稳定性
  • 工作电压最高可达32 VDD
  • 集成的ESD保护
  • 可耐225°C高温的塑料封装
  • 符合RoHS规范。
  • 采用盘卷包装。R1后缀 = 500个,24 mm卷带宽度,13英寸卷盘。

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