MD8IC970N_850-940MHz, 35W平均值, 28V

MD8IC970NR1和MD8IC970GNR1宽带集成电路采用片上预匹配而设计，适用于频率范围为136至940MHz的应用。这个多级结构的额定电压为26至32V，涵盖所有典型的基站调制格式。这些器件采用两级设计，具有输入、级间和输出网络片外匹配，涵盖所需的子频带。

产品详情

特性

提供串联等效大信号阻抗参数和共源S参数
片上预匹配片上稳定性
集成静态电流温度补偿，具有启用/禁用功能
集成的ESD保护
可耐225°C高温的塑料封装
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R1后缀=500个，44mm卷带宽度，13英寸卷盘。

射频性能表

850-940MHz

典型的双频性能：V_DD1=28V，V_DD2=25V，I_DQ1(A+B)=60mA，I_DQ2(A+B)=550mA，输出功率=35W平均值

频率	G_ps (dB)	功率附加效率 (%)	IMD (dBc)
850MHz	30.6	40.1	–30.5
900MHz	31.9	42.4	–31.0
940MHz	32.6	42.1	–31.3

在32Vdc，940MHz，137W连续波输出功率（自额定输出功率3dB输入过驱）时，能承受10:1 VSWR，旨在增强耐用性
1dB压缩点时，典型连续波输出功率 ≃ 79W

购买/参数

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文档

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数据手册
MD8IC970NR1, MD8IC970GNR1 850-940 MHz, 35 W Avg., 28 V RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

PDF版本 2May 5, 2011519.2 KBMD8IC970NEnglish
应用笔记
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

PDF版本 1May 12, 2004140.7 KBAN1987English
应用笔记
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

PDF版本 0Oct 9, 2003134.6 KBAN1977English
工程设计要点
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF版本 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212English
封装信息
98ASA10740D, TO, 23.62x9.02x3.18, Pitch 1.02, 17 Pins

PDF版本 EMar 18, 201682.7 KBSOT1725-1English
封装信息
98ASA10739D, TO-WBL, 23.55x9.05x3.17, Pitch 9.02, 16 Pins

PDF版本 EMar 18, 201677.7 KBSOT1728-1English
白皮书
Advances in Airfast RFICs White Paper

PDF版本 0May 15, 2015167.4 KBAIRFASTWBFWPEnglish

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

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HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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MD8IC970N, MD8IC970GN RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 2Jun 17, 2019 00:00:002.7 MBMD8IC970N_MDL_ADS

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MD8IC970N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 0Sep 20, 2016 00:00:006.7 MBMD8IC970N_MDL_AWR

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MD8IC970NR1, MD8IC970GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Feb 15, 2011 00:00:0027.5 KBMD8IC970N_MTTF_CALC

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850-940MHz，35W平均值，28V LDMOS宽带射频集成功率放大器

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射频性能表

850-940MHz

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MD8IC970NR1, MD8IC970GNR1 850-940 MHz, 35 W Avg., 28 V RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA10740D, TO, 23.62x9.02x3.18, Pitch 1.02, 17 Pins

98ASA10739D, TO-WBL, 23.55x9.05x3.17, Pitch 9.02, 16 Pins

Advances in Airfast RFICs White Paper

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MD8IC970N, MD8IC970GN RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MD8IC970N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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