MRFE6VP100H_100W连续波, 1.8-2000 MHz, 50V

MRFE6VP100HR5和MRFE6VP100HSR5射频功率晶体管专为1.8至2000MHz频率范围的窄带和宽带ISM、广播和航空应用而设计。这些器件采用我们的增强型耐用平台制造，非常适合高VSWR的应用。

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特性

宽工作频率范围
非常耐用
未匹配，可支持非常宽的频段
集成的稳定性增强功能
低热阻
集成的ESD保护电路
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R5后缀=50个，56mm卷带宽度，13英寸卷盘。

射频性能表

30-512MHz宽带

V_DD = 50V

频率 (MHz)	信号类型	输出功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)	IMD (dBc)
30-512	双频（100kHz间隔）	100 PEP	19.0	30.0	–30

512MHz窄带

V_DD = 50V

频率 (MHz)	信号类型	输出功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
512	连续波	100	27.2	70.0
512	脉冲（200 µsec， 20%占空比）	100峰值	26.0	70.0

耐用性，512MHz

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输出功率 (W)	测试电压	结果
512	脉冲（100 µsec， 20%占空比）	>65:1 所有相角	130 （3dB 过驱）	50	无器件退化
512	连续波	>65:1 所有相角	126 （3dB 过驱）	50	无器件退化

购买/参数

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文档

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4 文件

数据手册
MRFE6VP100HR5, MRFE6VP100HSR5 1.8-2000 MHz, 100 W, 50 V Broadband RF Power LDMOS Transistors

PDF版本 0May 30, 20121.2 MBMRFE6VP100HEnglish
手册
RF Solutions for Commercial Aerospace

PDF版本 2Sep 4, 20151.9 MBBR1608English
封装信息
NI-780S-4L

PDF版本 CAug 15, 201642.9 KB98ASA10718DEnglish
封装信息
98ASA10793D, NI-780H-4L

PDF版本 AMar 21, 201647.9 KBSOT1827-1English

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

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MRFE6VP100HR5, MRFE6VP100HSR5 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

ZIP版本 1Feb 8, 2013 00:00:00518.4 KBMRFE6VP100H_MDL_AWR

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MRFE6VP100H, MRFE6VP100HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019 00:00:00172.6 KBMRFE6VP100H_MDL_ADS

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MRFE6VP100HR5, MRFE6VP100HSR5 S-Parameters

S2P版本 0May 30, 2012 00:00:0025.9 KBMRFE6VP100H_SP

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MRFE6VP100H 1.8-200 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP版本 0Sep 28, 2019 00:00:002.1 MBMRFE6VP100H-1.8-200-MHz-Reference-Circuit

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MRFE6VP100H 512 MHz Narrowband PCB DXF file

ZIP版本 1May 30, 2012 00:00:00315.6 KBMRFE6VP100H_512NB_PCB

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印刷电路板与电路图
MRFE6VP100H 30-512 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP版本 0Sep 20, 2019 00:00:003.1 MBMRFE6VP100H-30-512-MHz-Reference-Circuit

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计算器
MRFE6VP100HR5, MRFE6VP100HSR5 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0May 30, 2012 00:00:0030.9 KBMRFE6VP100H_MTTF_CALC

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1.8-2000MHz，100W，50V LDMOS宽带射频功率晶体管

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特性

射频性能表

30-512MHz宽带

512MHz窄带

耐用性，512MHz

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MRFE6VP100HR5, MRFE6VP100HSR5 1.8-2000 MHz, 100 W, 50 V Broadband RF Power LDMOS Transistors

RF Solutions for Commercial Aerospace

NI-780S-4L

98ASA10793D, NI-780H-4L

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MRFE6VP100HR5, MRFE6VP100HSR5 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

MRFE6VP100H, MRFE6VP100HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRFE6VP100HR5, MRFE6VP100HSR5 S-Parameters

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MRFE6VP100H 512 MHz Narrowband PCB DXF file

MRFE6VP100H 30-512 MHz Reference Circuit Design Files

MRFE6VP100HR5, MRFE6VP100HSR5 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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