MRFE8VP8600H_平均值140 W,470-860 MHz,50 V | NXP 半导体

平均值为140 W,频率470-860 MHz的50 V射频功率LDMOS晶体管

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特征

  • 卓越的热稳定特性
  • 高增益,可降低功率放大器的尺寸
  • 高效率,适合AB类和Doherty操作
  • 集成的输入匹配。非匹配的输出。
  • -6.0 Vdc到+10 Vdc的扩展负栅压范围
  • 符合RoHS规范

RF Performance Tables

DBV-T宽带AB类性能

VDD = 50 Vdc, IDQ = 1400 mA,信道带宽 = 8 MHz,输入信号PAR = 9.5 dB @ 0.01% CCDF。

负载不匹配/耐用性

购买/参数

2 结果

不包含 2 不推荐用于新设计

订购

计算机辅助设计模型

状态

建议不要在新设计中使用该软件

建议不要在新设计中使用该软件

文档

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4 文件

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应用笔记 (1)
数据手册 (1)

设计文件

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