1-2000 MHz,4 W,28 V射频功率LDMOS

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特征

  • 1960 MHz,28 V时的典型双频性能:IDQ = 50 mA,输出功率 = 4 W PEP
    功率增益:18 dB
    漏极效率:33%
    IMD:–34 dBc
  • 900 MHz,28 V时的典型双频性能:IDQ = 50 mA,输出功率 = 4 W PEP
    功率增益:19 dB
    漏极效率:33%
    IMD:–39 dBc
  • 在28 Vdc,1960 MHz,4 W连续波输出功率时,能承受5:1 VSWR
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 片上射频反馈,实现宽带稳定性
  • 集成的ESD保护
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个,12 mm卷带宽度,7英寸卷盘。

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

2 文件

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

3 设计文件

支持

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