MRF1K50N_1500W连续波, 1.8-500 MHz, 50V

这些高度耐用的MRF1K50N和MRF1K50GN器件，适用于高VSWR工业、科学和医疗应用，以及电台和VHF电视广播、sub-GHz航空航天和移动无线应用。这些器件采用输入和输出未匹配设计，支持1.8-500MHz的更宽频率范围。

产品详情

特性

高漏极源雪崩能量吸收能力
未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
器件可用于单端或推挽配置中
电压范围为30至50V，简单易用
适合线性应用
集成的ESD防护，带有增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
符合RoHS规范
推荐的驱动器：MRFE6VS25N (25W)

工业、科学和医疗(ISM)
- 激光生成
- 等离子蚀刻
- 粒子加速器
- MRI、透热疗法、激光皮肤和磨削
- 工业加热、焊接和干燥系统
广播
- 电台广播
- VHF电视广播
航空航天
- VHF全向信标(VOR)
- HF和VHF通信
- 气象雷达
移动无线设备
- VHF和UHF基站

射频性能表

典型性能

V_DD = 50Vdc

频率 (MHz)	信号类型	输出功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
87.5-108^(1,2)	连续波	1421连续波	23.1	83.2
230^(3,4)	脉冲 (100 µsec，20%占空比)	1500峰值	23.4	75.1

负载不匹配/耐用性

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
230⁽³⁾	脉冲 (100 µsec，20%占空比)	> 65:1所有相角	15峰值（3dB过驱）	50	无设备退化

1. 数据来自87.5-108MHz宽带参考电路。
2. 显示的数值为指定频率范围内的中心频带性能数。
3. 数据来自230MHz的窄带生产测试装置。
4. 所有数据均在一个装置中测量，器件焊接到散热器上。

购买/参数

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文档

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4 文件

数据手册
MRF1K50N 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V Data Sheet

PDF版本 0Nov 3, 2016841.3 KBMRF1K50NEnglish
应用笔记
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

PDF版本 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955English
封装信息
98ASA00818D, OMNI, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF版本 BMar 9, 201677.6 KBSOT1824-1English
封装信息
98ASA00506D, OM-1230-4L, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF版本 CFeb 15, 201672.8 KBSOT1816-1English

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MRF1K50N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019 00:00:00119.1 KBMRF1K50N_MDL_ADS

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MRF1K50N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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MRF1K50N S-Parameters

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MRF1K50N 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

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MRF1K50N 230 MHz Narrowband PCB DXF file

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MRF1K50N 87.5-108 MHz Broadband PCB DXF file

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MRF1K50N 87.5-108 MHz Baseplate Drawing

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MRF1K50N 230 MHz Test Fixture Design Files

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计算器
MRF1K50N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Nov 3, 2016 00:00:0033.3 KBMRF1K50N_MTTF_CALC

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MRF1K50N 230 MHz Design Files

ZIP版本 3.0Mar 2, 2017 09:47:00631.8 KBMRF1K50N-230-MHz-DESIGN-FILES

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MRF1K50N 87.5-108 MHz Design Files

ZIP版本 2.0Mar 2, 2017 09:48:001.7 MBMRF1K50N-87.5-108-MHz-DESIGN-FILES

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1.8-500MHz，1500W连续波，50V LDMOS宽带射频功率晶体管

产品详情

特性

射频性能表

典型性能

负载不匹配/耐用性

MRFE6VS25N

MRFE6VS25N

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MRF1K50N 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V Data Sheet

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

98ASA00818D, OMNI, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins

98ASA00506D, OM-1230-4L, 32.26x9.96x3.81, Pitch 13.72, 5 Pins

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MRF1K50N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRF1K50N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRF1K50N S-Parameters

MRF1K50N 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

MRF1K50N 230 MHz Narrowband PCB DXF file

MRF1K50N 87.5-108 MHz Broadband PCB DXF file

MRF1K50N 87.5-108 MHz Baseplate Drawing

MRF1K50N 230 MHz Test Fixture Design Files

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MRF1K50N 87.5-108 MHz Design Files

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