AFT09MS031N_31W连续波，764-941 MHz，13.6V

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特性

运行频率在764至941MHz之间
未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
集成的ESD保护
集成的稳定性增强功能
宽带 - 整个频段全功率（764至870MHz）
可耐225°C高温的塑料封装
卓越的热性能
高线性度：TETRA、SSB和LTE
高性价比的超模压塑料封装
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R1后缀=500个，24mm卷带宽度，13英寸卷盘。

输出级800MHz集群移动无线设备
输出级900MHz集群移动无线设备

射频性能表

764-941MHz窄带

13.6Vdc，I_DQ = 500mA，T_A = 25°C，连续波

频率 (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	P1dB (W)
764	18.0	74.1	32
870	17.2	71.0	31
941	15.7	68.1	31

764-870MHz宽带

13.6Vdc，I_DQ = 500mA，T_A = 25°C，连续波

频率 (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	P1dB (W)
760	15.7	62.0	44
820	15.7	63.0	37
870	15.5	61.0	36

耐用性，870MHz

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
870⁽¹⁾	连续波	>65:1 所有相角	1.2 (3 dB 过驱)	17	无器件退化
870⁽²⁾	连续波	>65:1 所有相角	2.0 (3 dB 过驱)	17	无器件退化

1. 在870MHz窄带测试电路中测量。
2. 在760-870MHz宽带参考电路中测量。

购买/参数

部件展开描述	订购	计算机辅助设计模型	状态
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98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins[SOT1731-1]

PDFMar 30, 2016版本更新 D
98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins[SOT1732-1]

PDFFeb 26, 2016版本更新 R

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004版本更新 0

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024版本更新 2
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009版本更新 3
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

PDFMar 12, 2009版本更新 0

New Generation of Land Mobile Radio Products[LANDMOBILE_TRN_SI]

PDFJun 15, 2012版本更新 0

AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet[AFT09MS031N]

PDFAug 31, 2012版本更新 1

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

PDFSep 24, 2015版本更新 2

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设计文件

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1-5/ 7 设计文件

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AFT09MS031N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

ZIP版本 1Feb 8, 2013656.9 KBAFT09MS031N_MDL_AWR

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AFT09MS031N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 S-Parameters

S2P版本 0May 25, 20125.2 KBAFT09MS031N_SP

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计算器
AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0May 25, 201230.0 KBAFT09MS031N_MTTF_CALC

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764-941 MHz，31W，13.6V LDMOS宽带射频功率晶体管

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射频性能表

764-941MHz窄带

764-870MHz宽带

耐用性，870MHz

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封装信息 (2)

98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins[SOT1731-1]

98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins[SOT1732-1]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

应用笔记 (3)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

支持信息 (1)

New Generation of Land Mobile Radio Products[LANDMOBILE_TRN_SI]

数据手册 (1)

AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet[AFT09MS031N]

白皮书 (1)

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

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98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins[SOT1731-1]

98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins[SOT1732-1]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

应用笔记 (3)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

支持信息 (1)

New Generation of Land Mobile Radio Products[LANDMOBILE_TRN_SI]

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AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet[AFT09MS031N]

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AFT09MS031N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

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AFT09MS031N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 S-Parameters

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AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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AFT09MS031N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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