AFT09MS031N_31W连续波，764-941 MHz，13.6V

产品
射频
旧型号RF产品
旧型号射频功率产品
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
AFT09MS031N

AFT09MS031NR和AFT09MS031GNR1专为频率范围在764至941MHz之间的移动双向对讲机应用而设计。这些器件具有高增益、耐用性、宽带性能，适用于移动对讲机中的大信号、共源放大器应用。

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数据手册

应用笔记

产品详情

特性

运行频率在764至941MHz之间
未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
集成的ESD保护
集成的稳定性增强功能
宽带 - 整个频段全功率（764至870MHz）
可耐225°C高温的塑料封装
卓越的热性能
高线性度：TETRA、SSB和LTE
高性价比的超模压塑料封装
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R1后缀=500个，24mm卷带宽度，13英寸卷盘。

输出级800MHz集群移动无线设备
输出级900MHz集群移动无线设备

射频性能表

764-941MHz窄带

13.6Vdc，I_DQ = 500mA，T_A = 25°C，连续波

频率 (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	P1dB (W)
764	18.0	74.1	32
870	17.2	71.0	31
941	15.7	68.1	31

764-870MHz宽带

13.6Vdc，I_DQ = 500mA，T_A = 25°C，连续波

频率 (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	P1dB (W)
760	15.7	62.0	44
820	15.7	63.0	37
870	15.5	61.0	36

耐用性，870MHz

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
870⁽¹⁾	连续波	>65:1 所有相角	1.2 (3 dB 过驱)	17	无器件退化
870⁽²⁾	连续波	>65:1 所有相角	2.0 (3 dB 过驱)	17	无器件退化

1. 在870MHz窄带测试电路中测量。
2. 在760-870MHz宽带参考电路中测量。

购买/参数

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文档

快速参考恩智浦文档类别.

1-5 / 9 文件

^数据手册
AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

PDF版本 1Aug 31, 20121.0 MBAFT09MS031NEnglish
^应用笔记
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

PDF版本 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955English
^应用笔记
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF版本 3May 13, 2009910.7 KBAN1907English
^应用笔记
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages

PDF版本 0Mar 12, 2009449.7 KBAN3789English
^{工程设计要点}
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF版本 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212English
^封装信息
98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins

PDF版本 DMar 30, 201686.0 KBSOT1731-1English
^封装信息
98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins

PDF版本 RFeb 26, 201691.2 KBSOT1732-1English
^支持信息
New Generation of Land Mobile Radio Products

PDF版本 0Jun 15, 2012877.8 KBLANDMOBILE_TRN_SIEnglish
^白皮书
Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper

PDF版本 2Sep 24, 2015911.8 KBRFPLASTICWPEnglish

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快速参考恩智浦设计文件类型.

1-5 / 7 设计文件

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^模型
AFT09MS031N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

ZIP版本 1Feb 8, 2013 00:00:00656.9 KBAFT09MS031N_MDL_AWR
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^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^模型
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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^模型
AFT09MS031N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019 00:00:00238.6 KBAFT09MS031N_MDL_ADS
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^模型
AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 S-Parameters

S2P版本 0May 25, 2012 00:00:005.2 KBAFT09MS031N_SP
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^{印刷电路板与电路图}
AFT09MS031N 870 MHz Narrowband PCB DXF file

ZIP版本 2May 25, 2012 00:00:0028.9 KBAFT09MS031N_870NB_PCB
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^计算器
AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0May 25, 2012 00:00:0030.0 KBAFT09MS031N_MTTF_CALC
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764-941 MHz，31W，13.6V LDMOS宽带射频功率晶体管

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特性

射频性能表

764-941MHz窄带

764-870MHz宽带

耐用性，870MHz

购买/参数

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AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins

98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins

New Generation of Land Mobile Radio Products

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper

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AFT09MS031N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

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AFT09MS031N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 S-Parameters

AFT09MS031N 870 MHz Narrowband PCB DXF file

AFT09MS031NR1, AFT09MS031GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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