MRF13750H_750 W连续波频率为700-1300 MHz，50 V

产品详情

特征

内部输入预匹配，简单易用
器件可用于单端或推挽配置中
电压范围为30至50 V
适用于有适当偏置的线性应用。
集成的ESD保护
推荐的驱动器：MRFE6VS25GN (25 W)
包含在产品长期供货计划中，自推出后至少保证15年供货
符合RoHS规范

915 MHz工业加热/焊接系统
1300 MHz粒子加速器

射频性能表

典型性能

V_DD = 50 Vdc

频率 (MHz)	信号类型	输出功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
915⁽¹⁾	连续波	750	19.3	67.1
915⁽²⁾	脉冲 (100 µsec，10%占空比)	850	20.5	69.2
1300⁽³⁾	连续波	700	17.2	56.0

负载不匹配/耐用性

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
915⁽²⁾	脉冲 (100 µsec，10%占空比)	> 10:1所有相角	15.9 峰值 (3 dB 过驱)	50	无器件退化

1.在915 MHz窄带参考电路中测量。
2.在915 MHz窄带生产测试夹具中测量。
3.在1300 MHz窄带参考电路中测量。

购买/参数

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文档

快速参考恩智浦文档类别.

5 文件

数据手册
MRF13750H 750 W CW, 700-1300 MHz, 50 V Data Sheet

PDF版本 1Jan 19, 2018512.1 KBMRF13750HEnglish
应用笔记
AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages

PDF版本 1Feb 24, 2011664.6 KBAN1908English
工程设计要点
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF版本 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212English
封装信息
98ASB16977C, NI-1230H-4S, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF版本 HOct 25, 2019159.0 KBSOT1787-1English
封装信息
98ARB18247C, NI-1230S-4S, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF版本 HFeb 23, 201644.6 KBSOT1829-1English

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模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

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MRF13750H, MRF13750HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 2Jun 17, 2019 00:00:00403.0 KBMRF13750H_MDL_ADS

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MRF13750H, MRF13750HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 1Sep 20, 2016 00:00:00999.9 KBMRF13750H_MDL_AWR

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MRF13750H S-Parameters

S2P版本 0Dec 21, 2017 00:00:0023.1 KBMRF13750H-SP

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MRF13750H 915 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP版本 0Sep 20, 2019 00:00:002.1 MBMRF13750H-915-MHz-Reference-Circuit

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MRF13750H 1300 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP版本 1Apr 9, 2020 00:00:002.5 MBMRF13750H-1300-MHz-Reference-Circuit

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MRF13750H 915 MHz CW PCB DXF file

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印刷电路板与电路图
MRF13750H 1300 MHz 2-Up Reference Circuit Design Files

ZIP版本 0Sep 28, 2019 00:00:003.6 MBMRF13750H-1300-MHz-2-Up-Reference-Circuit

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MRF13750H 915 MHz CW Baseplate Drawing

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计算器
MRF13750H, MRF13750HS RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Dec 22, 2017 00:00:0094.0 KBMRF13750H_MTTF_CALC

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750 W连续波，700-1300 MHz，50 V LDMOS射频功率晶体管

产品详情

特征

射频性能表

典型性能

负载不匹配/耐用性

MRFE6VS25N

MRFE6VS25N

购买/参数

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MRF13750H 750 W CW, 700-1300 MHz, 50 V Data Sheet

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASB16977C, NI-1230H-4S, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

98ARB18247C, NI-1230S-4S, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

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RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRF13750H, MRF13750HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRF13750H, MRF13750HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRF13750H S-Parameters

MRF13750H 915 MHz Reference Circuit Design Files

MRF13750H 1300 MHz Reference Circuit Design Files

MRF13750H 915 MHz CW PCB DXF file

MRF13750H 1300 MHz 2-Up Reference Circuit Design Files

MRF13750H 915 MHz CW Baseplate Drawing

MRF13750H, MRF13750HS RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASB16977C, NI-1230H-4S, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

98ARB18247C, NI-1230S-4S, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

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