AFT09MS015N_16W连续波，136-941MHz，12.5V

AFT09MS015NT1专为频率范围为136至94MHz的手持双向对讲机应用而设计。这些器件具有高增益、耐用性、宽带性能，适用于手持对讲机设备中的大信号、共源放大器应用。

产品详情

特性

运行频率在136到941MHz之间
未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
集成的ESD保护
集成的稳定性增强功能
宽带 - 整个频段全功率
卓越的热性能
非常耐用
高线性度：TETRA、SSB
符合RoHS规范
采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个，16mm卷带宽度，7英寸卷盘。

输出或驱动级VHF频段移动无线设备
输出或驱动级UHF频段移动无线设备
输出或驱动级700-800MHz移动无线设备

部件编号包含： AFT09MS015N.

射频性能表

窄带性能

（12.5Vdc，I_DQ=100mA，T_A=25°C，连续波）

频率 (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	输出功率 (W)
870⁽¹⁾	17.2	77.0	16

宽带性能

（12.5Vdc，T_A=25°C，连续波）

频率 (MHz)	输入功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)	输出功率 (W)
136-174	0.38	16.0	60.0	15
350-470	0.23	18.5	60.0	16
760-870⁽²⁾	0.32	16.8	52.3	15

耐用性，870MHz

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
870⁽¹⁾	连续波	>65:1 所有相角	0.5 (3 dB 过驱)	17	无器件退化

1. 在870MHz窄带测试电路中测量。
2. 在760-870MHz UHF宽带参考电路中测量。

购买/参数

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文档

快速参考恩智浦文档类别.

5 文件

^数据手册
AFT09MS015NT1 136-941 MHz, 16 W, 12.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

PDF版本 1Jul 18, 2014814.9 KBAFT09MS015NEnglish
^应用笔记
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

PDF版本 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955English
^应用笔记
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF版本 3May 13, 2009910.7 KBAN1907English
^封装信息
98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins

PDF版本 AFeb 15, 201655.3 KBSOT1811-2English
^白皮书
Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper

PDF版本 2Sep 24, 2015911.8 KBRFPLASTICWPEnglish

设计资源

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^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

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^模型
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^模型
AFT09MS015N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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AFT09MS015N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 0Apr 2, 2015 00:00:002.2 MBAFT09MS015N_MDL_AWR
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AFT09MS015NT1 S-Parameters

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^{印刷电路板与电路图}
AFT09MS015N 760-870 MHz Broadband PCB DXF file

ZIP版本 0Feb 21, 2014 00:00:0018.2 KBAFT09MS015N_760_870_PCB
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AFT09MS015N 870 MHz Narrowband PCB DXF file

ZIP版本 1Feb 21, 2014 00:00:00360.8 KBAFT09MS015N_870NB_PCB
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^计算器
AFT09MS015NT1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Feb 21, 2014 00:00:0029.0 KBAFT09MS015N_MTTF_CALC
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136-941MHz，16W，12.5V 宽带LDMOS射频功率晶体管

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特性

射频性能表

窄带性能

宽带性能

耐用性，870MHz

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AFT09MS015NT1 136-941 MHz, 16 W, 12.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper

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