AFT05MP075N_70 W连续波，136-520MHz，12.5V

产品详情

特性

运行频率在136至520MHz之间
未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
集成的ESD保护
集成的稳定性增强功能
宽带 - 整个频段全功率
卓越的热性能
非常耐用
高线性度：TETRA、SSB和LTE
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R1后缀 = 500个，44mm卷带宽度，13英寸卷盘。

输出级VHF频段移动无线设备
输出级UHF频段移动无线设备

射频性能表

典型性能

12.5V，T_A = 25°C，连续波

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出功率 (W)
136MHz	21.0	68.0	76
450-520MHz	14.6	65.8	75
520MHz	18.5	68.5	70

耐用性

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
520	连续波	>65:1 所有相角	2 (3 dB 过驱)	17	无器件退化

购买/参数

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文档

快速参考恩智浦文档类别.

8 文件

紧凑列表

98ASA10578D, TO, 17.0x9.0x2.59, Pitch 0.21, 4 Pins[SOT1736-2]

PDFMar 17, 2016版本更新 E
98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins[SOT1736-1]

PDFJan 18, 2016版本更新 F

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024版本更新 2
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009版本更新 3
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

PDFMar 12, 2009版本更新 0

New Generation of Land Mobile Radio Products[LANDMOBILE_TRN_SI]

PDFJun 15, 2012版本更新 0

AFT05MP075NR1, AFT05MP075GNR1 136-520 MHz, 70 W AVG., 12.5 V Broadband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet[AFT05MP075N]

PDFAug 14, 2014版本更新 1

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

PDFSep 24, 2015版本更新 2

设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

1-5/ 8 设计文件

模型
AFT05MP075N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

ZIP版本 1Feb 8, 2013289.1 KBAFT05MP075N_MDL_AWR

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AFT05MP075N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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AFT05MP075NR1, AFT05MP075GNR1 S-parameters

S2P版本 0Feb 8, 201310.7 KBAFT05MP075N_SP

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印刷电路板与电路图
AFT05MP075N 450-520 MHz PCB DXF file

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AFT05MP075N 520 MHz Narrowband PCB DXF file

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计算器
AFT05MP075NR1, AFT05MP075GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Feb 8, 201329.0 KBAFT05MP075N_MTTF_CALC

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136-520MHz，70W，12.5V LDMOS宽带射频功率晶体管

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耐用性

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封装信息 (2)

98ASA10578D, TO, 17.0x9.0x2.59, Pitch 0.21, 4 Pins[SOT1736-2]

98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins[SOT1736-1]

应用笔记 (3)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

支持信息 (1)

New Generation of Land Mobile Radio Products[LANDMOBILE_TRN_SI]

数据手册 (1)

AFT05MP075NR1, AFT05MP075GNR1 136-520 MHz, 70 W AVG., 12.5 V Broadband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet[AFT05MP075N]

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Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

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AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

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AFT05MP075N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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AFT05MP075NR1, AFT05MP075GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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AFT05MP075N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

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AFT05MP075N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFT05MP075NR1, AFT05MP075GNR1 S-parameters

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