1.8-2000 MHz,25W,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管

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特性

  • 宽工作频率范围
  • 非常耐用
  • 未匹配,可支持非常宽的频段
  • 集成的稳定性增强功能
  • 低热阻
  • 扩展的ESD保护电路
  • 符合RoHS规范

部件编号包含: MRFE6VS25L.

射频性能表

HF,1.8-30MHz

VDD=50V
频率
(MHz)
信号类型 输出功率
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
IMD
(dBc)
1.8至30(1,3)双频
(10kHz间隔)
25 PEP25.050.0–28

30-512MHz宽带

VDD=50V
频率
(MHz)
信号类型 输出功率
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
IMD
(dBc)
30-512(2,3)双频
(200kHz间隔)
25 PEP17.332.0–32

512MHz窄带

VDD=50V
频率
(MHz)
信号类型 输出功率
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
512(4)脉冲(100µsec,
20%占空比)
25峰值25.974.0
512(4)连续波2526.075.0

耐用性

频率
(MHz)
信号类型 VSWR 输入功率
(W)
测试
电压
结果
30(1)连续波>65:1
所有相
0.11
(3dB
过驱)
50
器件
退化
512(2)连续波0.95
(3dB
过驱)
512(4)脉冲
(100µsec,
20%占空比)
0.14峰值
(3dB
过驱)
512(4)连续波0.14
(3dB
过驱)
1. 在1.8-30MHz的宽带参考电路上测量的值。
2. 在30-512MHz的宽带参考电路上测量的值。
3. 显示的值为指定频率范围内的最小测得性能数。
4. 512MHz窄带测试电路。

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

4 文件

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

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