MRFE6VS25L_25 W连续波, 1.8-2000MHz, 50V

MRFE6VS25L_25 W连续波, 1.8-2000MHz, 50V | NXP 半导体

产品
射频
旧型号RF产品
旧型号射频功率产品
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
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- MMRF1308H
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- MRFE6VP61K25N
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- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MRFE6VS25L

MRFE6VS25L是一款射频功率晶体管，专为1.8-2000MHz频率范围的窄带和宽带ISM、广播和航空应用而设计。该器件采用我们增强型稳定平台进行制造，非常适合高VSWR的应用。

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产品详情

特性

宽工作频率范围
非常耐用
未匹配，可支持非常宽的频段
集成的稳定性增强功能
低热阻
扩展的ESD保护电路
符合RoHS规范

射频性能表

HF，1.8-30MHz

V_DD=50V

频率 (MHz)	信号类型	输出功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)	IMD (dBc)
1.8至30^(1,3)	双频（10kHz间隔）	25 PEP	25.0	50.0	–28

30-512MHz宽带

V_DD=50V

频率 (MHz)	信号类型	输出功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)	IMD (dBc)
30-512^(2,3)	双频（200kHz间隔）	25 PEP	17.3	32.0	–32

512MHz窄带

V_DD=50V

频率 (MHz)	信号类型	输出功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
512⁽⁴⁾	脉冲（100µsec， 20%占空比）	25峰值	25.9	74.0
512⁽⁴⁾	连续波	25	26.0	75.0

耐用性

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
30⁽¹⁾	连续波	>65:1 所有相角	0.11 （3dB 过驱）	50	无器件退化
512⁽²⁾	连续波		0.95 （3dB 过驱）
512⁽⁴⁾	脉冲（100µsec， 20%占空比）		0.14峰值（3dB 过驱）
512⁽⁴⁾	连续波		0.14 （3dB 过驱）

1. 在1.8-30MHz的宽带参考电路上测量的值。
2. 在30-512MHz的宽带参考电路上测量的值。
3. 显示的值为指定频率范围内的最小测得性能数。
4. 512MHz窄带测试电路。

购买/参数

部件展开描述	订购	计算机辅助设计模型	状态
MRFE6VS25L 数据手册			建议不要在新设计中使用该软件

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MRFE6VS25LR5 S-Parameters

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MRFE6VS25LR5 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

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MRFE6VS25L RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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MRFE6VS25L 512 MHz Narrowband PCB DXF file

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印刷电路板与电路图
MRFE6VS25L 30-520 MHz Reference Circuit Design Files

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MRFE6VS25L 30-512 MHz Broadband PCB DXF file

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MRFE6VS25L 1.8-30 MHz Reference Circuit Design Files

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MRFE6VS25LR5 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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1.8-2000 MHz，25W，50 V LDMOS宽带射频功率晶体管

产品详情

特性

射频性能表

HF，1.8-30MHz

30-512MHz宽带

512MHz窄带

耐用性

购买/参数

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封装信息 (1)

98ASB42968B, NI-360H-2L, 0.8x0.23x3.81, Pitch 14.2, 3 Pins[SOT1791-2]

应用笔记 (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

手册 (1)

RF Solutions for Commercial Aerospace[BR1608]

数据手册 (1)

MRFE6VS25L 1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V Data Sheet[MRFE6VS25L]

过滤方式

封装信息 (1)

98ASB42968B, NI-360H-2L, 0.8x0.23x3.81, Pitch 14.2, 3 Pins[SOT1791-2]

应用笔记 (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

手册 (1)

RF Solutions for Commercial Aerospace[BR1608]

数据手册 (1)

MRFE6VS25L 1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V Data Sheet[MRFE6VS25L]

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MRFE6VS25LR5 S-Parameters

MRFE6VS25LR5 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

MRFE6VS25L RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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MRFE6VS25L 30-520 MHz Reference Circuit Design Files

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