产品详情
特性
- 880 MHz时的典型单载波N–CDMA性能，VDD=28V，IDQ = 450mA，平均输出功率 = 14W，IS–95 CDMA (导频，同步，寻呼，流量代码8 - 13)信道带宽 = 1.2288MHz。PAR = 9.8dB @ 0.01% CCDF。
- 功率增益：21.1 dB
- 漏极效率：33%
- 750kHz偏移时的ACPR：30kHz带宽时为–45.7dBc
- 在32Vdc，880MHz，3dB过驱时，能承受10:1 VSWR，旨在增强耐用性。
- 典型GSM EDGE性能：VDD = 28V，IDQ = 500mA，平均输出功率 = 21W，全频段(920–960MHz)
- 功率增益：20dB
- 漏极效率：46%
- 400 kHz偏移时，频谱增生 = –62dBc
- 600 kHz偏移时，频谱增生 = –78dBc
- EVM：1.5%rms
GSM应用 - 典型GSM EDGE性能：VDD=28V，IDQ=500mA，输出功率=60W，全频段(920–960MHz)
- 功率增益：20dB
- 漏极效率：63%
- 提供串联等效大信号阻抗参数
- 集成的ESD保护
- 可耐225°C高温的塑料封装
- 符合RoHS规范
- 采用盘卷包装。R1后缀 = 500个，24mm卷带宽度，13英寸卷盘。
购买/参数
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