MRFE6S9060N_470-960 MHz, 14 W, 28 V LDMOS

MRFE6S9060N_470-960 MHz, 14 W, 28 V LDMOS | NXP 半导体

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射频
旧型号RF产品
旧型号射频功率产品
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
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- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MRFE6S9060NR1

MRFE6S9060NR1专为频率高达1000MHz的宽带商业和工业应用而设计。该器件具有高增益，宽带性能，适用于28V基站设备中的大信号共源放大器应用。

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数据手册

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产品详情

特性

880 MHz时的典型单载波N–CDMA性能，V_DD=28V，I_DQ = 450mA，平均输出功率 = 14W，IS–95 CDMA (导频，同步，寻呼，流量代码8 - 13)信道带宽 = 1.2288MHz。PAR = 9.8dB @ 0.01% CCDF。
功率增益：21.1 dB

漏极效率：33%

750kHz偏移时的ACPR：30kHz带宽时为–45.7dBc
在32Vdc，880MHz，3dB过驱时，能承受10:1 VSWR，旨在增强耐用性。

GSM EDGE应用

典型GSM EDGE性能：V_DD = 28V，I_DQ = 500mA，平均输出功率 = 21W，全频段(920–960MHz)

功率增益：20dB

漏极效率：46%

400 kHz偏移时，频谱增生 = –62dBc

600 kHz偏移时，频谱增生 = –78dBc

EVM：1.5%rms

GSM应用

典型GSM EDGE性能：V_DD=28V，I_DQ=500mA，输出功率=60W，全频段(920–960MHz)

功率增益：20dB

漏极效率：63%
提供串联等效大信号阻抗参数
集成的ESD保护
可耐225°C高温的塑料封装
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R1后缀 = 500个，24mm卷带宽度，13英寸卷盘。

购买/参数

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设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

3 设计文件

模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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模型
MRFE6S9060N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 2Jun 17, 2019178.7 KBMRFE6S9060N_MDL_ADS

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计算器
MRFE6S9060NR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS版本 0Oct 2, 200743.5 KBMRFE6S9060N_MTTF_CALC

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470-960 MHz, 14 W平均值, 28 V, LDMOS宽带射频功率晶体管

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封装信息 (1)

98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins[SOT1732-1]

应用笔记 (3)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

手册 (1)

Broadcast Solutions[BR1607]

数据手册 (1)

MRFE6S9060NR1 880 MHz, 14 W Avg., 28 V, Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET[MRFE6S9060N]

过滤方式

封装信息 (1)

98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins[SOT1732-1]

应用笔记 (3)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

手册 (1)

Broadcast Solutions[BR1607]

数据手册 (1)

MRFE6S9060NR1 880 MHz, 14 W Avg., 28 V, Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET[MRFE6S9060N]

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MRFE6S9060N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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