AFT09MS007N_ W连续波，136-941MHz，7.5V

AFT09MS007NT1专为频率范围为136至941MHz的手持双向对讲机应用而设计。这些器件具有高增益、耐用性、宽带性能，适用于手持对讲机中的大信号、共源放大器应用。

产品详情

特性

运行频率在136到941MHz之间
未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
集成的ESD保护
集成的稳定性增强功能
宽带 - 整个频段全功率
卓越的热性能
非常耐用
高线性度：TETRA、SSB
符合RoHS规范
采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个，16mm卷带宽度，7英寸卷盘。

输出级VHF频段手持对讲机
输出级UHF频段手持对讲机
输出级700-800MHz手持对讲机

部件编号包含： AFT09MS007N.

射频性能表

860MHz窄带

(7.5Vdc，I_DQ=100mA，T_A=25°C，连续波)

频率 (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	输出功率 (W)
870	15.2	71.0	7.3

宽带性能

(7.5Vdc，T_A = 25°C，连续波)

频率 (MHz)	输入功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)	输出功率 (W)
136-174	0.25	14.6	69.0	7.2
350-470	0.20	15.6	60.9	7.3
450-520	0.22	15.4	56.0	7.5
760-860	0.23	15.1	48.1	7.5

耐用性，870MHz

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
870	连续波	>65:1 所有相角	0.4 (3 dB 过驱)	10.8	无器件退化

购买/参数

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文档

快速参考恩智浦文档类别.

4 文件

^数据手册
AFT09MS007NT1 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

PDF版本 1Apr 21, 20141.4 MBAFT09MS007NEnglish
^应用笔记
How to Extend Bandwidth AFT09MS007N Application Note

PDF版本 0Aug 26, 2014949.9 KBAN4859English
^{工程设计要点}
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF版本 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212English
^封装信息
98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins

PDF版本 AFeb 15, 201655.3 KBSOT1811-2English

设计资源

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^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

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^模型
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

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AFT09MS007N S-Parameters

S2P版本 0May 9, 2016 00:00:0026.3 KBAFT09MS007N_SP
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AFT09MS007N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 0Apr 2, 2015 00:00:001.1 MBAFT09MS007N_MDL_AWR
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AFT09MS007N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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^{印刷电路板与电路图}
AFT09MS007N 870 MHz Narrowband PCB DXF file

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AFT09MS007N 450-520 MHz PCB DXF file

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^{印刷电路板与电路图}
AFT09MS007N 760-870 MHz PCB DXF file

ZIP版本 1Apr 30, 2014 00:00:0017.8 KBAFT09MS007N_760_870_PCB
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AFT09MS007N 350-470 MHz PCB DXF file

ZIP版本 1Apr 30, 2014 00:00:0030.7 KBAFT09MS007N_350_470_PCB
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^计算器
AFT09MS007NT1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Jun 5, 2013 00:00:0032.2 KBAFT09MS007N_MTTF_CALC
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136-941 MHz，7W，7.5V LDMOS宽带射频功率晶体管

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射频性能表

860MHz窄带

宽带性能

耐用性，870MHz

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AFT09MS007NT1 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

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Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins

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