A2T21H100-25S_2110-2170 MHz，18 W，28 V

产品
射频
旧型号RF产品
旧型号射频功率产品
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- AFT09MS031N
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- MRFX1K80N
- MRFX600H
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- MW6S010N
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A2T21H100-25S

A2T21H100-25SR3 18 W非对称Doherty LDMOS射频功率晶体管专为2110到2170 MHz频率范围的移动通信基站应用而设计。

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数据手册

产品详情

特征

先进的高性能内部封装Doherty
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
符合RoHS规范

RF Performance Table

2100 MHz

典型Doherty单载波W-CDMA性能：V_DD = 28 Vdc，I_DQA = 250 mA，V_GSB = 0.2 Vdc，平均输出功率 = 18 W，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)
2110 MHz	17.3	52.1	8.2	–32.4
2140 MHz	17.4	51.0	8.0	–33.1
2170 MHz	17.4	50.5	8.0	–35.0

文档

快速参考恩智浦文档类别.

3 文件

^数据手册
A2T21H100-25S 2110–2170 MHz, 18 W Avg., 28 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet

PDF版本 1Jan 26, 2022443.3 KBA2T21H100-25SEnglish
^{工程设计要点}
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF版本 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212English
^封装信息
98ASA00406D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 9 Pins

PDF版本 AFeb 15, 201656.1 KBSOT1797-1English

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^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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A2T21H100-25S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019 00:00:00547.9 KBA2T21H100_25S_MDL_ADS
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A2T21H100-25SR3 S-Parameters

S2P版本 0Jun 1, 2015 00:00:0048.1 KBA2T21H100_25S_PEAKING_CLASS_C_SP
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A2T21H100-25SR3 S-Parameters

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A2T21H100-25S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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S2P版本 0Jun 1, 2015 00:00:0048.1 KBA2T21H100_25S_PEAKING_300MA_SP
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2110-2170 MHz，18 W平均值，28 V Airfast^® LDMOS射频功率晶体管

产品详情

特征

RF Performance Table

2100 MHz

文档

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A2T21H100-25S 2110–2170 MHz, 18 W Avg., 28 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA00406D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 9 Pins

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A2T21H100-25SR3 S-Parameters

A2T21H100-25SR3 S-Parameters

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Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA00406D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 9 Pins

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