716-960 MHz, 30 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

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特征

  • 专为宽瞬时带宽应用而设计
  • 增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
  • 专为数字预失真纠错系统而设计
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。R3后缀 = 250个,32 mm卷带宽度,13英寸卷盘。

射频性能表

780 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Vdc, IDQA = 450 mA, VGSB = 1.2 Vdc, Pout = 30 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

880 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Vdc, IDQA = 450 mA, VGSB = 1.3 Vdc, Pout = 30 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

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