960-1215 MHz,275 W,50 V脉冲射频功率LDMOS

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特征

  • 典型脉冲性能:VDD = 50 V,IDQ = 100 mA,输出功率 = 275 W峰值(27.5 W平均值), f = 1030 MHz,脉冲宽度 = 128 µsec,占空比 = 10%
    功率增益:20.3 dB
    漏极效率:65.5%
  • 在50 Vdc,1030 MHz,275 W峰值功率时,能承受10:1 VSWR
  • 典型宽带性能:VDD = 50 V,IDQ = 100 mA,输出功率 = 250 W峰值(25 W平均值),f = 960–1215 MHz,脉冲宽度 = 128 µsec,占空比 = 10%
    功率增益:19.8 dB
    漏极效率:58%
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 内部匹配,简便易用
  • 工作电压最高可达50 VDD
  • 集成的ESD保护
  • 增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。R3后缀 = 250个,56 mm卷带宽度,13英寸卷盘
  • 这些产品包含在恩智浦产品长期供货计划中,自推出后至少保证10年供货。

文档

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