1090 MHz，10 W，50 V脉冲射频功率LDMOS

MRF6V10010N 建议不要在新设计中使用该软件
MRF6V10010NR4射频功率晶体管专为960至1400 MHz频率范围，1%至20%占空比的应用而设计。此器件适用于脉冲应用。

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特征

  • 典型脉冲性能：VDD = 50 V，IDQ = 10 mA，输出功率 = 10 W峰值(2 W平均值)，f = 1090 MHz，脉冲宽度 = 100 µsec，占空比 = 20%
    功率增益：25 dB
    漏极效率：69%
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 工作电压最高可达50 VDD
  • 集成的ESD保护
  • 增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。R4后缀 = 100个，12 mm卷带宽度，7英寸卷盘。

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