1090 MHz,10 W,50 V脉冲射频功率LDMOS

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特征

  • 典型脉冲性能:VDD = 50 V,IDQ = 10 mA,输出功率 = 10 W峰值(2 W平均值),f = 1090 MHz,脉冲宽度 = 100 µsec,占空比 = 20%
    功率增益:25 dB
    漏极效率:69%
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 工作电压最高可达50 VDD
  • 集成的ESD保护
  • 增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。R4后缀 = 100个,12 mm卷带宽度,7英寸卷盘。

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