AFT05MS031N_31 W连续波，136-520MHz，13.6V

产品详情

特性

运行频率在136至520MHz之间
未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
集成的ESD保护
集成的稳定性增强功能
宽带 - 整个频段全功率
- 136-174MHz
- 380-450MHz
- 450-520MHz
可耐225°C高温的塑料封装
卓越的热性能
高线性度：TETRA、SSB和LTE
高性价比的超模压塑料封装
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R1后缀=500个，24mm卷带宽度，13英寸卷盘。

输出级VHF频段移动无线设备
输出级UHF频段移动无线设备

射频性能表

VHF，136-174MHz

13.6Vdc，T_A=25°C，连续波

频率 (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	P1dB (W)
136-174	23.2	62.0	31

UHF，380-520MHz

13.6Vdc，T_A=25°C，连续波

频率 (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	P1dB (W)
380-450	18.3	64.1	31

520MHz窄带

13.6Vdc，T_A=25°C，连续波

频率 (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	P1dB (W)
450-520	17.7	62.0	31
520	17.7	71.4	33

耐用性，520MHz

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
520	连续波	>65:1 所有相角	1.1 （3dB 过驱）	17	无器件退化

购买/参数

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文档

快速参考恩智浦文档类别.

9 文件

紧凑列表

98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins[SOT1731-1]

PDFMar 30, 2016版本更新 D
98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins[SOT1732-1]

PDFFeb 26, 2016版本更新 R

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004版本更新 0

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024版本更新 2
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009版本更新 3
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

PDFMar 12, 2009版本更新 0

New Generation of Land Mobile Radio Products[LANDMOBILE_TRN_SI]

PDFJun 15, 2012版本更新 0

AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet[AFT05MS031N]

PDFApr 26, 2013版本更新 1

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

PDFSep 24, 2015版本更新 2

设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

1-5/ 7 设计文件

模型
AFT05MS031N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019226.4 KBAFT05MS031N_MDL_ADS

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模型
AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 S-Parameters

S2P版本 0Jun 13, 201210.6 KBAFT05MS031N_SP

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AFT05MS031N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

ZIP版本 1Feb 8, 2013303.8 KBAFT05MS031N_MDL_AWR

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印刷电路板与电路图
AFT05MS031N 520 MHz Narrowband PCB DXF file

ZIP版本 1Jun 13, 2012221.2 KBAFT05MS031N_520NB_PCB

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计算器
AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Jun 13, 201230.6 KBAFT05MS031N_MTTF_CALC

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136-520MHz，31W，13.6V LDMOS宽带射频功率晶体管

产品详情

特性

射频性能表

VHF，136-174MHz

UHF，380-520MHz

520MHz窄带

耐用性，520MHz

购买/参数

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封装信息 (2)

98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins[SOT1731-1]

98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins[SOT1732-1]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

应用笔记 (3)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

支持信息 (1)

New Generation of Land Mobile Radio Products[LANDMOBILE_TRN_SI]

数据手册 (1)

AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet[AFT05MS031N]

白皮书 (1)

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

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封装信息 (2)

98ASA99301D, TO, 9.65x6.1x2.11, Pitch 4.98, 3 Pins[SOT1731-1]

98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins[SOT1732-1]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

应用笔记 (3)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

支持信息 (1)

New Generation of Land Mobile Radio Products[LANDMOBILE_TRN_SI]

数据手册 (1)

AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet[AFT05MS031N]

白皮书 (1)

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper[RFPLASTICWP]

设计资源

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AFT05MS031N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 S-Parameters

AFT05MS031N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

AFT05MS031N 520 MHz Narrowband PCB DXF file

AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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筛选条件

AFT05MS031N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 S-Parameters

AFT05MS031N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit.

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

AFT05MS031N 520 MHz Narrowband PCB DXF file

AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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