MRFE6VP6300H_300W, 1.8-600MHz, 50V

MRFE6VP6300HR3和MRFE6VP6300HSR3高稳定器件专为高VSWR工业（包括激光和等离子体激励器）、广播（模拟和数字)、航空和无线/陆地移动应用。它们采用输入和输出未匹配设计，支持更宽的频率范围，1.8-600MHz。

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数据手册

产品详情

特性

未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
器件可用于单端或推挽配置中
工作电压最高可达50V_DD
特征参数取样自30V至50V，适用于更宽的功率范围
适用于有适当偏置的线性应用。
集成的ESD保护
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
提供串联等效大信号阻抗参数
符合RoHS规范
采用NI-780-4盘卷包装。R3后缀=250个，56mm卷带宽度，13英寸卷盘。
采用NI-780S-4盘卷包装。R3后缀 = 250个，32 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

射频性能表

130，230MHz宽带

典型性能：V_DD=50V，I_DQ=100mA

信号类型	输出功率 (W)	f (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	IRL (dB)
脉冲（100µsec， 20%占空比）	300峰值	230	26.5	74.0	–16
连续波	300平均值	130	25.0	80.0	–15

在50Vdc，230MHz时，对于所有相角能承受65:1 VSWR的负载不匹配
- 300W连续波输出功率
- 300W脉冲峰值功率，20%占空比，100µsec
可在300W连续波运行

购买/参数

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文档

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4 文件

数据手册
MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

PDF版本 1Jul 29, 20111.0 MBMRFE6VP6300HEnglish
工程设计要点
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF版本 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212English
封装信息
NI-780S-4L

PDF版本 CAug 15, 201642.9 KB98ASA10718DEnglish
封装信息
98ASA10793D, NI-780H-4L

PDF版本 AMar 21, 201647.9 KBSOT1827-1English

设计资源

设计文件

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1-5/ 7 设计文件

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模型
MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 5Jun 17, 2019 00:00:0097.3 KBMRFE6VP6300H_MDL_ADS

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HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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模型
MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 S-Parameters

S2P版本 0Nov 12, 2010 00:00:007.3 KBMRFE6VP6300H_SP

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MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 2Mar 2, 2012 00:00:00310.0 KBMRFE6VP6300H_MDL_AWR

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MRFE6VP6300H 230 MHz Test Fixture Design Files

ZIP版本 0Sep 28, 2019 00:00:001.7 MBMRFE6VP6300H-230-MHz-Test-Fixture

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MRFE6VP6300H 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP版本 0Sep 20, 2019 00:00:002.3 MBMRFE6VP6300H-87.5-108-MHz-Reference-Circuit

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计算器
MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS版本 0Oct 4, 2010 00:00:0062.0 KBMRFE6VP6300H_MTTF_CALC

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1.8-600MHz，300W，50V宽带射频功率LDMOS

产品详情

特性

射频性能表

130，230MHz宽带

购买/参数

文档

过滤方式

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

NI-780S-4L

98ASA10793D, NI-780H-4L

设计资源

设计文件

过滤方式

MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 S-Parameters

MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRFE6VP6300H 230 MHz Test Fixture Design Files

MRFE6VP6300H 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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