AFT05MS006N_6.0 W连续波，136-941 MHz，7.5 V

AFT05MS006N_6.0 W连续波，136-941 MHz，7.5 V | NXP 半导体

产品
射频
旧型号RF产品
旧型号射频功率产品
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
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- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
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- MMT20303H
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- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
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- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
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- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
AFT05MS006N

AFT05MS006NT1专为频率范围在136至941 MHz之间的手持双向对讲机应用而设计。这些器件具有高增益、耐用性、宽带性能，适用于手持对讲机设备中的大信号、共源放大器应用。

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数据手册

应用笔记

产品详情

特征

运行频率在136到941 MHz之间
未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
集成的ESD保护
集成的稳定性增强功能
宽带 - 整个频段全功率
卓越的热性能
非常耐用
高线性度：TETRA、SSB
符合RoHS规范
采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个，16 mm卷带宽度，7英寸卷盘。

输出级VHF频段手持无线电
输出级UHF频段手持无线电
输出级700-800 MHz手持无线电

RF Performance Tables

窄带性能

(7.5 Vdc，I_DQ = 100 mA，T_A = 25°C，连续波)

频率 (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	输出功率 (W)
520⁽¹⁾	18.3	73.0	6.0

宽带性能

(7.5 Vdc，T_A = 25°C，连续波)

频率 (MHz)	输入功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)	输出功率 (W)
136-174	0.19	15.5	60.0	6.0
440-520⁽²⁾	0.15	16.3	65.0	6.4
760-870⁽³⁾	0.20	15.2	58.5	6.7

耐用性，520 MHz

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
520⁽¹⁾	连续波	>65:1 所有相角	0.12 (3 dB 过驱)	10.8	无器件退化

1. 在520 MHz窄带测试电路中测量。
2. 在440-520 MHz UHF宽带参考电路中测量。
3. 在760-870 MHz UHF宽带参考电路中测量。

设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

1-5/ 6 设计文件

模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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模型
AFT05MS006N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019217.8 KBAFT05MS006N_MDL_ADS

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模型
AFT05MS006NT1 S-Parameters

S2P版本 0May 13, 201430.5 KBAFT05MS006N_SP

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AFT05MS006N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 0Apr 2, 2015599.5 KBAFT05MS006N_MDL_AWR

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AFT05MS006N 760-870 MHz Broadband PCB DXF file

ZIP版本 0Feb 21, 201418.2 KBAFT05MS006N_760_870_PCB

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AFT05MS006N 520 MHz Narrowband PCB DXF file

ZIP版本 0Feb 21, 2014361.2 KBAFT05MS006N_520NB_PCB

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136-941 MHz，6.0 W，7.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管

产品详情

特征

RF Performance Tables

窄带性能

宽带性能

耐用性，520 MHz

文档

过滤方式

封装信息 (1)

98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins[SOT1811-2]

应用笔记 (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

支持信息 (1)

Airfast® Mobile Radio Solutions[AIRFAST_MOBILE_RADIO_TRN_SI]

数据手册 (1)

AFT05MS006NT1 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet[AFT05MS006N]

过滤方式

封装信息 (1)

98ASA00476D, PLD-1.5W, 6.6x5.84x1.74, Pitch 4.6, 3 Pins[SOT1811-2]

应用笔记 (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

支持信息 (1)

Airfast® Mobile Radio Solutions[AIRFAST_MOBILE_RADIO_TRN_SI]

数据手册 (1)

AFT05MS006NT1 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet[AFT05MS006N]

设计资源

设计文件

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AFT05MS006N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFT05MS006NT1 S-Parameters

AFT05MS006N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

AFT05MS006N 760-870 MHz Broadband PCB DXF file

AFT05MS006N 520 MHz Narrowband PCB DXF file

过滤方式

筛选条件

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AFT05MS006N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFT05MS006NT1 S-Parameters

AFT05MS006N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

AFT05MS006N 760-870 MHz Broadband PCB DXF file

AFT05MS006N 520 MHz Narrowband PCB DXF file

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