MRFE6VP5600H_600W连续波, 1.8-600MHz, 50V

MRFE6VP5600HR6和MRFE6VP5600HSR6高耐用性器件专为高VSWR工业（包括激光和等离子体激励器）、广播（模拟和数字）、航空和无线/陆地移动应用而设计。它们采用输入和输出未匹配设计，支持更宽的频率范围，1.8-600MHz。

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产品详情

特性

未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
器件可用于单端或推挽配置中
工作电压最高可达50V_DD
特征参数取样自30V至50V，适用于更宽的功率范围
适用于有适当偏置的线性应用。
集成的ESD保护，带有增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
提供串联等效大信号阻抗参数
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R6后缀=150个，56mm卷带宽度，13英寸卷盘。

射频性能表

230MHz窄带

典型性能：V_DD=50V，I_DQ=100mA

信号类型	输出功率 (W)	f (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	IRL (dB)
脉冲（100µsec， 20%占空比）	600峰值	230	25.0	74.6	–18
连续波	600平均值	230	24.6	75.2	–17

在50Vdc，230MHz时，对于所有相角能承受65:1 VSWR的负载不匹配，旨在增强耐用性。
- 脉冲峰值功率600瓦，占空比|占空系数20%，100微秒

购买/参数

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文档

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4 文件

数据手册
MRFE6VP5600HR6, MRFE6VP5600HSR6 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

PDF版本 1Jan 6, 2011952.8 KBMRFE6VP5600HEnglish
工程设计要点
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF版本 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212English
封装信息
98ASB16977C, NI-1230H-4S, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF版本 HOct 25, 2019159.0 KBSOT1787-1English
封装信息
98ARB18247C, NI-1230S-4S, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF版本 HFeb 23, 201644.6 KBSOT1829-1English

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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MRFE6VP5600HR6, MRFE6VP5600HSR6 S-Parameters

S2P版本 0Dec 14, 2010 00:00:007.3 KBMRFE6VP5600H_SP

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MRFE6VP5600HR6, MRFE6VP5600HSR6 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 1Mar 2, 2012 00:00:00382.0 KBMRFE6VP5600H_MDL_AWR

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MRFE6VP5600H, MRFE6VP5600HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 2Jun 17, 2019 00:00:00272.7 KBMRFE6VP5600H_MDL_ADS

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MRFE6VP5600H 434 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP版本 0Sep 28, 2019 00:00:001.6 MBMRFE6VP5600H-434-MHz-Reference-Circuit

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MRFE6VP5600H, MRFE6VP5600HS RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS版本 0Dec 15, 2010 00:00:0061.4 KBMRFE6VP5600H_MTTF_CALC

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1.8-600MHz，600W连续波，50V宽带射频功率LDMOS

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射频性能表

230MHz窄带

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MRFE6VP5600HR6, MRFE6VP5600HSR6 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASB16977C, NI-1230H-4S, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

98ARB18247C, NI-1230S-4S, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

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MRFE6VP5600HR6, MRFE6VP5600HSR6 S-Parameters

MRFE6VP5600HR6, MRFE6VP5600HSR6 RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRFE6VP5600H, MRFE6VP5600HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRFE6VP5600H 434 MHz Reference Circuit Design Files

MRFE6VP5600H, MRFE6VP5600HS RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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