AFT05MS004N_4W连续波，136-941MHz，7.5V

AFT05MS004N_4W连续波，136-941MHz，7.5V | NXP 半导体

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射频
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旧型号射频功率产品
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- MRFX1K80N
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- MW6S004NT1
- MW6S010N
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AFT05MS004N

AFT05MS004NT1专为频率范围在136至941MHz之间的手持双向对讲机应用而设计。这些器件具有高增益，耐用性，宽带性能，适用于手持对讲机设备中的大信号、共源放大器应用。

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数据手册

产品详情

特性

运行频率在136到941MHz之间
未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
集成的ESD保护
集成的稳定性增强功能
宽带 - 整个频段全功率
卓越的热性能
非常耐用
符合RoHS规范
采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个，12mm卷带宽度，7英寸卷盘。

输出级VHF频段手持对讲机
输出级UHF频段手持对讲机
输出级700-800MHz手持对讲机
面向10-1000MHz应用的驱动器

射频性能表

860MHz窄带

（7.5Vdc，T_A = 25°C，连续波）

频率 (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	输出功率 (W)
520⁽¹⁾	20.9	74.9	4.9

VHF，UHF性能

（7.5Vdc，T_A = 25°C，连续波）

频率 (MHz)	输入功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)	输出功率 (W)
136-174⁽²⁾	0.10	17.8	61.8	6.1
350-520⁽³⁾	0.12	15.4	49.4	4.2

负载不匹配/耐用性

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
435⁽³⁾	连续波	>65:1 所有相角	0.24 （3dB 过驱）	9.0	无器件退化

1. 在520MHz窄带测试电路中测量。
2. 在136-174MHz VHF宽带参考电路中测量。
3. 在350-520MHz UHF宽带参考电路中测量。

购买/参数

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紧凑列表

98ASA00241D, SOT, 4.5x2.5x1.5, Pitch 1.5, 3 Pins[SOT1759-1]

PDFFeb 29, 2016版本更新 A

Rugged Plastic for Mobile Radio[AFT05MS004N_RUGGED_TRN_SI]

PDFMay 23, 2014版本更新 0

AFT05MS004NT1 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet[AFT05MS004N]

PDFJul 17, 2014版本更新 0

设计资源

设计文件

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5 设计文件

模型
AFT05MS004N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019178.6 KBAFT05MS004N_MDL_ADS

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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模型
AFT05MS004NT1 S-Parameters

S2P版本 0Jul 17, 201431.0 KBAFT05MS004N_SP

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AFT05MS004N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 0Apr 2, 2015410.5 KBAFT05MS004N_MDL_AWR

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印刷电路板与电路图
MRF300AN+AFT05MS004N 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP版本 0Sep 20, 20192.2 MBMRF300AN-AFT05MS004N-87.5-108-MHz-Ref-Circuit

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136-941MHz，4W，7.5V LDMOS宽带射频功率晶体管

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860MHz窄带

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98ASA00241D, SOT, 4.5x2.5x1.5, Pitch 1.5, 3 Pins[SOT1759-1]

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Rugged Plastic for Mobile Radio[AFT05MS004N_RUGGED_TRN_SI]

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AFT05MS004NT1 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet[AFT05MS004N]

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98ASA00241D, SOT, 4.5x2.5x1.5, Pitch 1.5, 3 Pins[SOT1759-1]

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Rugged Plastic for Mobile Radio[AFT05MS004N_RUGGED_TRN_SI]

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AFT05MS004NT1 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet[AFT05MS004N]

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AFT05MS004N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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AFT05MS004NT1 S-Parameters

AFT05MS004N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRF300AN+AFT05MS004N 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

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AFT05MS004N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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