A2T23H160-24S_Airfast® 28 W，2300-2400 MHz

产品
射频
旧型号RF产品
旧型号射频功率产品
- A2I20D020N
- A2I20D040N
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- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
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- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
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- MHT2012N
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- MMRF1308H
- MMRF1314H
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- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
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- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
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- MRFE6VS25N
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- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
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A2T23H160-24S

A2T23H160-24SR3 28 W非对称Doherty LDMOS射频功率晶体管专为2300到2400 MHz频率范围的移动通信基站应用而设计。

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数据手册

产品详情

特征

先进的高性能内部封装Doherty
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
专为数字预失真纠错系统而设计
符合RoHS规范

RF Performance Table

2300 MHz

典型Doherty单载波W-CDMA性能：V_DD = 28 Vdc，I_DQA = 350 mA，V_GSB = 0.7 Vdc，平均输出功率 = 28 W，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)
2300 MHz	17.7	48.8	7.9	–33.5
2350 MHz	17.7	48.4	8.0	–37.2
2400 MHz	17.8	48.2	7.9	–37.0

文档

快速参考恩智浦文档类别.

3 文件

^数据手册
A2T23H160-24S 2300-2400 MHz, 28 W Avg, 28 V Data Sheet

PDF版本 0Nov 17, 2015460.2 KBA2T23H160-24SEnglish
^{工程设计要点}
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF版本 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212English
^封装信息
98ASA00674D, NI-780S-4L2L, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 7 Pins

PDF版本 OJan 16, 201457.3 KBSOT1799-3English

设计资源

设计文件

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^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^模型
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HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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^模型
A2T23H160-24S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019 00:00:00911.0 KBA2T23H160_24S_MDL_ADS
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A2T23H160-24S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 0Sep 20, 2016 00:00:002.2 MBA2T23H160_24S_MDL_AWR
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^计算器
A2T23H160-24S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Aug 23, 2016 00:00:0042.1 KBA2T23H160-24S_MTTF_CALC
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2300-2400 MHz，28 W平均值，28 V Airfast^® LDMOS射频功率晶体管

产品详情

特征

RF Performance Table

2300 MHz

文档

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A2T23H160-24S 2300-2400 MHz, 28 W Avg, 28 V Data Sheet

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA00674D, NI-780S-4L2L, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 7 Pins

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A2T23H160-24S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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A2T23H160-24S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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98ASA00674D, NI-780S-4L2L, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 7 Pins

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