Kinetis KV4x-168 MHz，高性能电机 / 功率变换微控制器(MCU)，基于ARM® Cortex®-M4内核
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3相无刷电机预驱动器
GD3000是一款面向三相电机驱动应用的栅极驱动器IC，提供3个半桥驱动器，其中每个驱动器可驱动两个N通道MOSFET。
- 支持1A至2.5A的峰值电流
- 可采用单电源运行，具有6V-60V宽电压范围，75V瞬态保护。
- 采用自举栅极驱动器架构，具有涓流充电电路，支持100％占空比。
- 当高边和低边MOSFET开关进行切换时，采用可编程的串扰保护，防止电流流动。
- 高边和低边MOSFET开关内置了VDS传感功能，可保护外部功率模块避免出现过流情况。
- 包括电流分流放大器，提供精确的电流测量，以检测相位误差。
IC通过6个直接输入控制信号、一个用于设备设置和异步复位的SPI端口以及使能和中断信号与MCU相连接。可接受5.0和3.0V逻辑电平输入，并提供5.0V的逻辑电平输出。
产品详情
功能
主要特性
- 8至40V范围内完全可设定，涵盖12V和24V汽车系统
- 扩展电压范围为6V至60V，涵盖12V和48V系统
- 栅极驱动能力大于1A，具有保护功能
- 防止来自外部FET CGD和CGS的反向电荷注入
- 包含一个电荷泵，能以低电池电压支持FET全面驱动
- 可通过SPI端口设置死区时间
- 通过安全的SPI指令实现同步输出功能
- 温度范围：-40至+125，-20至105 °C
- 宽工作电压范围：6V至60 V
- 可通过SPI端口设置较宽的死区时间范围(50ns至12μs)
- 外部FET栅极驱动能力大于1A，具有保护功能
- 电荷泵能够确保以较低的电源电压提供足够的外部FET驱动
- 保护设备，防止来自外部FET CGD和CGS的反向电荷注入
- 内置过流、欠流和相位故障检测功能
- 可耐受栅极驱动器上的正、负瞬态峰值电压
- 死区时间控制中内置电流击穿保护
- 支持3.3V和5V逻辑电平直接接入MCU
- 集成的电流传感放大器
- 通过SPI进行设备配置和诊断
- 并行SPI接口及输入控制器
产品长期供货计划
- 该产品包含在恩智浦产品长期供货计划中，为您的嵌入式设计确保产品的供货稳定性。GD3000(MC34GD3000)包含在10年产品长期供货计划中，而GD3000(MC33GD3000)包含在15年产品长期供货计划中
购买/参数
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设计资源
硬件
快速参考恩智浦
板类型.
1-5 / 24 硬件
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