面向IGBT和SiC MOSFET的高级高压隔离栅极驱动器
面向SiC MOSFET的具有段式驱动的先进高压隔离栅极驱动器
产品详情
特性
主要特性
- 高压隔离IGBT和SiC单栅极驱动IC器件功能
- 负载电流（IL） 15A（典型值）
- 单通道
- 漏源导通电阻：500mOhm RDS(ON)（典型值）
- 负载电源电压最小-12V，最大25V
- 电源电压最小4.5V，最大40V
- 工作环境温度为–40至125°C
- PWM和SPI接口和输入控制器
操作
- ±15A分路输出栅极电流驱动
- 可编程高压VCC稳压器输出电压：14V至21V，步进1V
- 最大VCC输出电压：23V
保护
- 集成的高压温度感测(TSENSE)，用于NTC热敏电阻或二极管传感器，具有可编程的偏移和增益
- 更快的VCE DeSat检测和反应时间：<1.2µs(SiC)
- 改进的PWM死区时间范围可降低开关损耗(SiC)
- 可编程的两级关断(2LTO)和软关机(SSD)
功能安全
- 附加的可编程故障引脚(INTA)
- 集成式高压故障管理(FSISO)
- 可编程VCE输出监测
绝缘/隔离
- 最小共模瞬态抗扰度(CMTI)>100V/ns
- 符合UL1577的5000Vrms 电气隔离（已规划）
产品长期供货计划
- 该产品包含在恩智浦产品长期供货计划，确保为您的嵌入式设计提供稳定的产品供应。GD3160包含在15年产品长期供货计划中.
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购买/参数
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设计资源
硬件
快速参考恩智浦
板类型.
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软件
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代码片段
GD31xx Driver Example Code
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调试及视觉化工具
FlexGUI for GD3100 and GD3160 Advanced Gate Driver Evaluation Software
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