面向带有GD3160功能的VE-Trac™ Drive SiC模块的3相参考设计

RDGD31603PHSEVM

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RDGD31603PHSEVM是三相参考设计和评估套件，装有六个面向IGBT/SiC MOSFET设备的GD3160栅极驱动器。该套件包括可与PC连接的Freedom KL25Z微控制器硬件。Flex GUI软件需要安装在PC上，PC采用菊花链或独立配置通过SPI寄存器与GD3160进行通信。该套件允许用户在没有任何软件开发的情况下配置设备，并在单相上进行SC或双脉冲。

RDGD31603PHSEVM也兼容NXP MPC5775B/E-EVB(不包含在本套件内)，可使用我们的软件示例进行全电机控制。该评估套件用于连接到兼容封装的VE-Trac SiC OnSemi模块(不包含在本套件内)或任何具有相同引脚输出的其他模块。

框图

GD3160结构框图

GD3160 Block Diagram
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支持的器件

处理器和微控制器

超高可靠性的MPC57xx MCU

  • MPC5777C: 超高可靠的MPC5777C MCU，适用于汽车和工业发动机管理

电源管理

动力和发动机控制

  • GD3160: 面向SiC MOSFET的具有段式驱动的先进高压隔离栅极驱动器

安全SBC

  • FS6500: 符合1级和0级安全标准的电源系统基础芯片，带有CAN灵活数据收发器

接口

3.3V/5V IO CAN收发器

  • TJA1042: 具有待机模式的高速CAN收发器

Features

Gate Driver

  • Integrated Galvanic signal isolation (up to 8 kV)
  • High gate current integrated: 15 A source/sink capable
  • SPI interface for safety monitoring, configuration, and diagnostic reporting
  • Fail-safe state management from LV and HV domain for user-selectable safe state
  • Temperature sense compatible with diode-based temperature sensors, NTC and PTC thermistors
  • Configurable desaturation and current sense optimized for protecting SiC and IGBTs
  • Integrated soft shutdown, two-level turn-off, optimized for unique gate drive requirements of SiC
  • Integrated ADC for monitoring parameters from HV domain
  • CMTI > 100 V/ns
  • Available in 5.0 or 3.3 V logic interface variants
  • Certified compliant with ISO 26262, supporting ASIL D level functional safety

GD3160

  • Advanced single channel gate driver for IGBT and SiC MOSFETs. Integrated galvanic isolation and low on-resistance drive transistors provide high charging and discharging current, low dynamic saturation voltage and rail-to-rail gate voltage control

购买选项

RDGD31603PHSEVM-Image

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  • RDGD31603PHSEVM
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  • 3-Phase Reference Design for VE-Trac™ Drive SiC Module Featuring GD3160.

  • 套件包含

    • 配备KL25Z MCU的KITGD3160TREVB转换板
    • Micro USB线缆
    • 快速入门指南
  • CNY 3,142.34
  • 数量为 1
    • 供货情况: 待定库存
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