3相逆变器参考设计与评估套件

RDGD3160I3PH5EVB

滚动图片以放大

RDGD3160I3PH5EVB是三相逆变器参考设计和评估板，装有六个面向IGBT/SiC MOSFET设备的GD3160栅极驱动器。该板支持SPI菊花链通信，用于编程并与3个高边栅极驱动器和3个低边栅极驱动器独立进行通信，并配有故障管理和辅助电路功能。

该评估套件旨在连接到兼容的HybridPACK Drive IGBT模块，用于全三相逆变器应用开发。

框图

GD3160结构框图

GD3160 Block Diagram
获取框图PDF

支持的器件

电源管理

动力和发动机控制

  • GD3160: 面向SiC MOSFET的具有段式驱动的先进高压隔离栅极驱动器

安全SBC

  • FS6500: 符合1级和0级安全标准的电源系统基础芯片，带有CAN灵活数据收发器

处理器和微控制器

超高可靠性的MPC57xx MCU

  • MPC5777C: 超高可靠的MPC5777C MCU，适用于汽车和工业发动机管理

接口

3.3V/5V IO CAN收发器

  • TJA1042: 具有待机模式的高速CAN收发器

Features

Gate Driver

  • Integrated Galvanic signal isolation (up to 8 kV)
  • High gate current integrated: 15 A source/sink capable
  • SPI interface for safety monitoring, configuration and diagnostic reporting
  • Fail-safe state management from LV and HV domain for user-selectable safe state
  • Temperature sense compatible with diode-based temperature sensors, NTC and PTC thermistors
  • Configurable desaturation and current sense optimized for protecting SiC and IGBTs
  • Integrated soft shutdown, two-level turn-off, optimized for unique gate drive requirements of SiC
  • Integrated ADC for monitoring parameters from HV domain
  • CMTI > 100 V/ns
  • Available in 5.0 or 3.3 V logic interface variants
  • Certified compliant with ISO 26262, supporting ASIL D level functional safety

GD3160

  • Advanced single channel gate driver for IGBT and SiC MOSFETs. Integrated galvanic isolation and low on-resistance drive transistors provide high charging and discharging current, low dynamic saturation voltage and rail-to-rail gate voltage control

购买选项

RDGD3160I3PH5EVB-Image

点击展开

  • RDGD3160I3PH5EVB
    正常供应

  • 3 Phase Reference Design for HP Drive Featuring GD3160.

  • 三相参考设计评估套件，具有面向IGBT或SiC MOSFET的GD3160栅极驱动设备

    套件包含

    • 快速入门指南
  • CNY 3,179.19
  • 数量为 1
    • 供货情况: 待定库存
加入购物车
从分销商处购买

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

筛选条件

3 文件

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.
筛选条件

2 设计文件

支持

您需要什么帮助?

  • Narrow your search
搜索