GD3100_面向IGBT/SiC的单通道栅极驱动器 | NXP 半导体

面向IGBT和SiC MOSFET的高级高压隔离栅极驱动器

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框图

面向IGBT和SiC MOSFET的高级高压隔离栅极驱动器

GD3100, Advanced IGBT/SiC Gate Driver - Block Diagram

功能

主要特性

  • 高压隔离IGBT和SiC单栅极驱动IC器件功能
  • 负载电流15A(IL)
  • 单通道
  • 漏源导通电阻:500 mOhm RDS(ON)
  • 负载电源电压最小值-12V,最大值25V
  • 电源电压最小值5.6V, 最大值40V
  • 工作环境温度为–40至125°C
  • PWM和SPI接口和输入控制器

面向任何IGBT/SiC模块的高度集成和灵活性

  • 电流信号隔离
  • 10A开/关功率模块
  • 有源米勒钳位
  • 3.3或5.0V I/O
  • 与200-1700V IGBT/SiC兼容
  • 用于编程和诊断的SPI
  • 减少BOM成本和PCB尺寸

快速的过流或短路保护

  • 提供I-sense或DESAT sense
  • 二级关断
  • 软件关断

符合ISO26262 ASIL C/D功能安全要求(认证中)

  • VGE监控可验证PWM输入与门输出之间的通信
  • 故障安全引脚支持冗余栅极控制
  • 带循环冗余检查(CRC)的SPI安全设置
  • 强制的死区保护
  • 适用于模拟和数字电路的内建自测试(BIST)

购买/参数

5 结果

包含 3 不推荐用于新设计

订购

计算机辅助设计模型

状态

器件功能

Logic Level (V)

封装类型

封装端接数

预算报价(不含税)

Frequency (Max) (kHz)

Load Current (IL) [TYP] (A)

通道数

保护

Drain-to-Source On Resistance (Typ) (mOhm) (RDS(ON))

负载电源电压(最小)(V)

负载电源电压(最大)(V)

电源电压[最小](V)

电源电压[最大](V)

接口和输入控制

SPI [bits]

Ambient Operating Temperature (Min to Max) (℃)

ASIL Certification

正常供应

HV Isolated IGBT & SiC Single gate driver IC

3.3

SSOP32

32

1K @ CNY30.23

40

15

1

desaturation, overcurrent, overtemperature, short-circuit, undervoltage

500

-12

25

5

40

24

-40 to 125

up to ASIL D

正常供应

HV Isolated IGBT & SiC Single gate driver IC

5

SSOP32

32

1K @ CNY30.23

40

15

1

desaturation, overcurrent, overtemperature, short-circuit, undervoltage

500

-12

25

5

40

24

-40 to 125

up to ASIL D

正常供应

HV Isolated IGBT & SiC Single gate driver IC

5

SSOP32

32

1K @ CNY38.84

40

15

1

desaturation, overcurrent, overtemperature, short-circuit, undervoltage

500

-12

25

5

40

SPI / PWM

24

-40 to 125

up to ASIL D

正常供应

HV Isolated IGBT & SiC Single gate driver IC

3.3

SSOP32

32

1K @ CNY31.81

40

15

1

desaturation, overcurrent, overtemperature, short-circuit, undervoltage

500

-12

25

5

40

24

-40 to 125

up to ASIL D

正常供应

HV Isolated IGBT & SiC Single gate driver IC

5

SSOP32

32

1K @ CNY31.81

40

15

1

desaturation, overcurrent, overtemperature, short-circuit, undervoltage

500

-12

25

5

40

24

-40 to 125

up to ASIL D

文档

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6 文件

紧凑列表

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