MRFE6VP6600GN 产品信息|NXP

安全互联汽车

工业

消费电子

技术

MRFE6VP6600GN

不推荐用于新设计

MRFE6VP6600GN

不推荐用于新设计

特点

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V

  • 数据手册:
  • PDF

封装

FM4: FM4, plastic, flange mount package; 4 terminals; 9.96 mm x 20.57 mm x 3.81 mm body

购买选项

MRFE6VP6600GNR3

不推荐用于新设计

12NC: 935323761528

详细信息

  • 包装: REEL-Reel 13" Q2/T3 in Drypack
  • 最小封装数量: 250
  • 起订量: 250
  • 交付周期: 10 weeks

订购

从分销商处购买

工作特点

参数值
fi(RF) [max] (MHz)
600
Number of pins
4
Package Style
DFM
Amp Class
AB
Test Signal
CW
Supply Voltage (Typ) (V)
50
Class
AB
Die Technology
LDMOS
Thermal Resistance (Spec) (℃/W)
0.033
P1dB (Typ) (dBm)
57.8
Security Status
COMPANY PUBLIC
Frequency (Min-Max) (MHz)
1.8, 600
Efficiency (Typ) (%)
81
Peak Power (Typ) (W)
900
Frequency Band (Hz)
1800000, 600000000
参数值
Description
Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
fi(RF) [min] (MHz)
1.8
Output Power (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal
600 @ CW
P1dB (Typ) (W)
600
Gain (Typ) (dB)
24
Power Gain (Typ) (dB) @ f (MHz)
24 @ 98
Frequency (Max) (MHz)
600
Frequency (Min) (MHz)
1.8
Frequency (Min-Max) (GHz)
0.0018000001 to 0.6
frange [max] (MHz)
600
frange [min] (MHz)
1.8
Rth(j-a) (K/W)
0.033
Matching
unmatched
Modes of Operation
continuous wave
Peak Power (Typ) (dBm)
59.5

环境

部件/12NC无铅欧盟 RoHS无卤素RHF指标二级互连REACH SVHC重量（mg）
MRFE6VP6600GNR3(935323761528)
Yes
Yes
Certificate Of Analysis (CoA)
Yes
D
e3
REACH SVHC
3048.7

质量

部件/12NC安全保障功能安全湿度灵敏度等级(MSL)封装体峰值温度（PPT）（C°）Maximum Time at Peak Temperatures (s)
无铅焊接无铅焊接无铅焊接
MRFE6VP6600GNR3
(935323761528)
No
3
260
40

配送

部件/12NC协调关税 (美国)免责声明出口控制分类编号 (美国)
MRFE6VP6600GNR3
(935323761528)
854129
EAR99

更多信息 MRFE6VP6600N

These high ruggedness devices, MRFE6VP6600N and MRFE6VP6600GN, are designed for use in high VSWR industrial, medical, broadcast, aerospace, and mobile radio applications. Their unmatched input and output design allows for wide frequency range use from 1.8 to 600 MHz.