MRFE6VP6300H_300W, 1.8-600MHz, 50V

MRFE6VP6300H_300W, 1.8-600MHz, 50V | NXP 半导体

产品
射频
旧型号RF产品
旧型号射频功率产品
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFSC5G26D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MRFE6VP6300H

MRFE6VP6300HR3和MRFE6VP6300HSR3高稳定器件专为高VSWR工业（包括激光和等离子体激励器）、广播（模拟和数字)、航空和无线/陆地移动应用。它们采用输入和输出未匹配设计，支持更宽的频率范围，1.8-600MHz。

查看产品图片

数据手册

产品详情

特性

未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
器件可用于单端或推挽配置中
工作电压最高可达50V_DD
特征参数取样自30V至50V，适用于更宽的功率范围
适用于有适当偏置的线性应用。
集成的ESD保护
增大负栅源电压范围，改善C类放大器运行
提供串联等效大信号阻抗参数
符合RoHS规范
采用NI-780-4盘卷包装。R3后缀=250个，56mm卷带宽度，13英寸卷盘。
采用NI-780S-4盘卷包装。R3后缀 = 250个，32 mm卷带宽度，13英寸卷盘。

射频性能表

130，230MHz宽带

典型性能：V_DD=50V，I_DQ=100mA

信号类型	输出功率 (W)	f (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	IRL (dB)
脉冲（100µsec， 20%占空比）	300峰值	230	26.5	74.0	–16
连续波	300平均值	130	25.0	80.0	–15

在50Vdc，230MHz时，对于所有相角能承受65:1 VSWR的负载不匹配
- 300W连续波输出功率
- 300W脉冲峰值功率，20%占空比，100µsec
可在300W连续波运行

购买/参数

‌ ‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌

N true 0 PSPMRFE6VP6300Hzh 4 封装信息 Package Information t790 2 工程设计要点 Technical Notes t521 1 数据手册 Data Sheet t520 1 zh zh zh 数据手册 Data Sheet 1 1

English

RF Power transistors designed for applications operating at frequencies between 1.8 and 600 MHz. These devices are suitable for use in high VSWR industrial, broadcast and aerospace applications.

1286295175156716097175 PSP

1.0 MB

None

documents

None

1286295175156716097175

/docs/en/data-sheet/MRFE6VP6300H.pdf

1015321

/docs/en/data-sheet/MRFE6VP6300H.pdf

MRFE6VP6300H

documents

2016-10-31

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

/docs/en/data-sheet/MRFE6VP6300H.pdf /docs/en/data-sheet/MRFE6VP6300H.pdf

Data Sheet

980000996212993340

2022-12-07

pdf N

Jul 29, 2011

980000996212993340

Data Sheet

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

工程设计要点 Technical Notes 1 2

English

This document explains the format used by NXP<sup>®</sup> for presenting LDMOS impedance information for both single-ended and push-pull devices on RF Power datasheets.

1074535848819727693421 PSP

171.0 KB

None

documents

None

1074535848819727693421

/docs/en/engineering-bulletin/EB212.pdf

170979

/docs/en/engineering-bulletin/EB212.pdf

EB212

documents

2016-11-09

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

/docs/en/engineering-bulletin/EB212.pdf /docs/en/engineering-bulletin/EB212.pdf

Technical Notes

389245547230346745

2024-09-13

pdf N

Jan 19, 2004

389245547230346745

Technical Notes

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

封装信息 Package Information 2 3

English

98ASA10718D, 465H-02, NI-780S-4L

1145376001821716037786 PSP

42.9 KB

None

documents

None

1145376001821716037786

/docs/en/package-information/98ASA10718D.pdf

42869

/docs/en/package-information/98ASA10718D.pdf

98ASA10718D

documents

2016-10-31

NI-780S-4L

/docs/en/package-information/98ASA10718D.pdf /docs/en/package-information/98ASA10718D.pdf

Package Information

302435339416912908

2022-12-07

pdf N

Aug 15, 2016

302435339416912908

Package Information

NI-780S-4L

English

98ASA10793D, 465M-01, NI 780H-4L

1177631115779705085440 PSP

47.9 KB

None

documents

None

1177631115779705085440

/docs/en/package-information/98ASA10793D.pdf

47948

/docs/en/package-information/98ASA10793D.pdf

SOT1827-1

documents

2016-10-31

98ASA10793D, NI-780H-4L

/docs/en/package-information/98ASA10793D.pdf /docs/en/package-information/98ASA10793D.pdf

Package Information

302435339416912908

2022-12-07

pdf N

Mar 21, 2016

302435339416912908

Package Information

98ASA10793D, NI-780H-4L

false 0 MRFE6VP6300H downloads zh-Hans true 1 Y PSP 封装信息

/docs/en/package-information/98ASA10718D.pdf

2016-10-31

1145376001821716037786 PSP 3

Aug 15, 2016

Package Information

98ASA10718D, 465H-02, NI-780S-4L

None

/docs/en/package-information/98ASA10718D.pdf

English

documents

42869

None

302435339416912908

2022-12-07

/docs/en/package-information/98ASA10718D.pdf

NI-780S-4L

/docs/en/package-information/98ASA10718D.pdf

documents

302435339416912908

Package Information

None

pdf

NI-780S-4L

42.9 KB

98ASA10718D

1145376001821716037786

/docs/en/package-information/98ASA10793D.pdf

2016-10-31

1177631115779705085440 PSP 4

Mar 21, 2016

Package Information

98ASA10793D, 465M-01, NI 780H-4L

None

/docs/en/package-information/98ASA10793D.pdf

English

documents

47948

None

302435339416912908

2022-12-07

/docs/en/package-information/98ASA10793D.pdf

98ASA10793D, NI-780H-4L

/docs/en/package-information/98ASA10793D.pdf

documents

302435339416912908

Package Information

None

pdf

98ASA10793D, NI-780H-4L

47.9 KB

SOT1827-1

1177631115779705085440

工程设计要点

/docs/en/engineering-bulletin/EB212.pdf

2016-11-09

1074535848819727693421 PSP 2

Jan 19, 2004

Technical Notes

This document explains the format used by NXP<sup>®</sup> for presenting LDMOS impedance information for both single-ended and push-pull devices on RF Power datasheets.

None

/docs/en/engineering-bulletin/EB212.pdf

English

documents

170979

None

389245547230346745

2024-09-13

/docs/en/engineering-bulletin/EB212.pdf

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

/docs/en/engineering-bulletin/EB212.pdf

documents

389245547230346745

Technical Notes

None

pdf

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

171.0 KB

EB212

1074535848819727693421

数据手册

/docs/en/data-sheet/MRFE6VP6300H.pdf

2016-10-31

1286295175156716097175 PSP 1

Jul 29, 2011

Data Sheet

RF Power transistors designed for applications operating at frequencies between 1.8 and 600 MHz. These devices are suitable for use in high VSWR industrial, broadcast and aerospace applications.

None

/docs/en/data-sheet/MRFE6VP6300H.pdf

English

documents

1015321

None

980000996212993340

2022-12-07

/docs/en/data-sheet/MRFE6VP6300H.pdf

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

/docs/en/data-sheet/MRFE6VP6300H.pdf

documents

980000996212993340

Data Sheet

None

pdf

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

1.0 MB

MRFE6VP6300H

1286295175156716097175

true Y Products

文档

快速参考恩智浦文档类别.

4 文件

紧凑列表

NI-780S-4L[98ASA10718D]

PDFAug 15, 2016版本更新 C
98ASA10793D, NI-780H-4L[SOT1827-1]

PDFMar 21, 2016版本更新 A

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004版本更新 0

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs[MRFE6VP6300H]

PDFJul 29, 2011版本更新 1

设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

1-5/ 7 设计文件

模型
MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 5Jun 17, 201997.3 KBMRFE6VP6300H_MDL_ADS

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 S-Parameters

S2P版本 0Nov 12, 20107.3 KBMRFE6VP6300H_SP

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 2Mar 2, 2012310.0 KBMRFE6VP6300H_MDL_AWR

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
印刷电路板与电路图
MRFE6VP6300H 230 MHz Test Fixture Design Files

ZIP版本 0Sep 28, 20191.7 MBMRFE6VP6300H-230-MHz-Test-Fixture

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
印刷电路板与电路图
MRFE6VP6300H 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP版本 0Sep 20, 20192.3 MBMRFE6VP6300H-87.5-108-MHz-Reference-Circuit

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
计算器
MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS版本 0Oct 4, 201062.0 KBMRFE6VP6300H_MTTF_CALC

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队

展开

1-5/ 7 设计文件

模型
MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 5Jun 17, 2019 00:00:0097.3 KBMRFE6VP6300H_MDL_ADS

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 S-Parameters

S2P版本 0Nov 12, 2010 00:00:007.3 KBMRFE6VP6300H_SP

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 2Mar 2, 2012 00:00:00310.0 KBMRFE6VP6300H_MDL_AWR

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
印刷电路板与电路图
MRFE6VP6300H 230 MHz Test Fixture Design Files

ZIP版本 0Sep 28, 2019 00:00:001.7 MBMRFE6VP6300H-230-MHz-Test-Fixture

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
印刷电路板与电路图
MRFE6VP6300H 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

ZIP版本 0Sep 20, 2019 00:00:002.3 MBMRFE6VP6300H-87.5-108-MHz-Reference-Circuit

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
计算器
MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS版本 0Oct 4, 2010 00:00:0062.0 KBMRFE6VP6300H_MTTF_CALC

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队

展开

支持

您需要什么帮助?

近期查看的产品

There are no recently viewed products to display.

查看或编辑浏览历史

购物车

1.8-600MHz，300W，50V宽带射频功率LDMOS

产品详情

特性

射频性能表

130，230MHz宽带

购买/参数

文档

过滤方式

封装信息 (2)

NI-780S-4L[98ASA10718D]

98ASA10793D, NI-780H-4L[SOT1827-1]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

数据手册 (1)

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs[MRFE6VP6300H]

过滤方式

封装信息 (2)

NI-780S-4L[98ASA10718D]

98ASA10793D, NI-780H-4L[SOT1827-1]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

数据手册 (1)

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs[MRFE6VP6300H]

设计资源

设计文件

过滤方式

MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 S-Parameters

MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRFE6VP6300H 230 MHz Test Fixture Design Files

MRFE6VP6300H 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

过滤方式

筛选条件

MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 S-Parameters

MRFE6VP6300H, MRFE6VP6300HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRFE6VP6300H 230 MHz Test Fixture Design Files

MRFE6VP6300H 87.5-108 MHz Reference Circuit Design Files

MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

支持

您需要什么帮助?

推荐链接

近期查看的产品