AFT09MP055N_55 W连续波，764-941MHz，55W，12.5V

AFT09MP055NR1和AFT09MP055GNR1专为频率范围在764至941MHz之间的双向对讲机应用而设计。这些器件具有高增益，非常耐用，宽带性能优异，适用于移动无线设备中的大信号、共源放大器应用。

查看产品图片

数据手册

产品详情

特性

运行频率在764至941MHz之间
集成的输入匹配提高宽带性能
集成的ESD保护
宽带— 整个频段全功率(764-870MHz)
可耐225°C高温的塑料封装
卓越的热性能
非常耐用
高线性度：TETRA、SSB
高性价比的超模压塑料封装
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R1后缀=500个，44mm卷带宽度，13英寸卷盘。

输出级800MHz频段移动无线设备
输出级700MHz频段移动无线设备

部件编号包含： AFT09MP055GN, AFT09MP055N.

射频性能表

870 MHz窄带

(在恩智浦测试电路中：12.5Vdc，I_DQ(A+B) = 550mA，T_A = 25°C，CW)

频率 (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	输出功率 (W)
870	17.5	69.0	57

800 MHz宽带性能

(恩智浦参考电路：12.5Vdc, I_DQ(A+B) = 800mA, P_in = 1.5W, T_A = 25°C, CW)

频率 (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	输出功率 (W)
764	16.1	56.0	61
816	15.8	58.0	57
870	15.7	61.0	56

耐用性，870 MHz

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
870	连续波	>65:1 所有相角	3 （3dB 过驱）	17	无器件退化

购买/参数

‌ ‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌

文档

快速参考恩智浦文档类别.

4 文件

^数据手册
AFT09MP055NR1, AFT09MP055GNR1 764-941 MHz, 55 W, 12.5 V Broadband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

PDF版本 0Jul 3, 2013905.0 KBAFT09MP055NEnglish
^封装信息
98ASA10578D, TO, 17.0x9.0x2.59, Pitch 0.21, 4 Pins

PDF版本 EMar 17, 201675.2 KBSOT1736-2English
^封装信息
98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins

PDF版本 FJan 18, 201675.9 KBSOT1736-1English
^白皮书
Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper

PDF版本 2Sep 24, 2015911.8 KBRFPLASTICWPEnglish

设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

1-5 / 7 设计文件

收到完整的详细信息。 请参阅产品足迹及更多信息电子CAD文件.

^模型
AFT09MP055NR1, AFT09MP055GNR1 S-Parameters

S2P版本 0Jul 3, 2013 00:00:0015.7 KBAFT09MP055N_SP
请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
^模型
AFT09MP055N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 2Jun 17, 2019 00:00:00184.1 KBAFT09MP055N_MDL_ADS
请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
^模型
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
^模型
AFT09MP055N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 1Apr 2, 2015 00:00:00563.3 KBAFT09MP055N_MDL_AWR
请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
^{印刷电路板与电路图}
AFT09MP055NR1, AFT09MP055GNR1 870 MHz Narrowband PCB DXF file

ZIP版本 3Jul 3, 2013 00:00:0095.5 KBAFT09MP055_870NB_PCB
请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
^计算器
AFT09MP055NR1, AFT09MP055GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Jul 3, 2013 00:00:0035.3 KBAFT09MP055N_MTTF_CALC
请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队

展开

764-941MHz，55W，12.5V LDMOS宽带射频功率晶体管

产品详情

特性

射频性能表

870 MHz窄带

800 MHz宽带性能

耐用性，870 MHz

购买/参数

文档

过滤方式

AFT09MP055NR1, AFT09MP055GNR1 764-941 MHz, 55 W, 12.5 V Broadband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

98ASA10578D, TO, 17.0x9.0x2.59, Pitch 0.21, 4 Pins

98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper

设计资源

设计文件

过滤方式

AFT09MP055NR1, AFT09MP055GNR1 S-Parameters

AFT09MP055N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

AFT09MP055N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

AFT09MP055NR1, AFT09MP055GNR1 870 MHz Narrowband PCB DXF file

AFT09MP055NR1, AFT09MP055GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

筛选条件

支持

您需要什么帮助?

推荐链接