MRFE6VP5150N_150W连续波，1.8-600MHz，50V

产品
射频
旧型号RF产品
旧型号射频功率产品
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
- MRF6V10010N
- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MRFE6VP5150N

MRFE6VP5150NR1和MRFE6VP5150GNR1高耐用性器件专为高VSWR工业（包括激光和等离子体激励器）、广播（模拟和数字）、航空和无线/陆地移动应用而设计。它们采用输入和输出未匹配设计，支持更宽的频率范围，1.8-600MHz。

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数据手册

应用笔记

产品详情

特性

宽工作频率范围
非常耐用
未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围
集成的稳定性增强功能
低热阻
集成的ESD保护电路
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R1后缀=500个，44mm卷带宽度，13英寸卷盘。

部件编号包含： MRFE6VP5150GN, MRFE6VP5150N.

射频性能表

87.5-108MHz宽带

V_DD=50Vdc

频率（MHz）	信号类型	输出功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
87.5-108^(1,3)	连续波	179	22.5	74.6

230MHz窄带

V_DD=50Vdc

频率（MHz）	信号类型	输出功率 (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
230⁽²⁾	连续波	150	26.3	72.0
230⁽²⁾	脉冲（100µsec， 20%占空比）	150峰值	26.1	70.3

耐用性

频率 (MHz)	信号类型	VSWR	输入功率 (W)	测试电压	结果
98⁽¹⁾	连续波	>65:1 所有相角	3.0 （3dB 过驱）	50	无器件退化
230⁽²⁾	脉冲（100µsec， 20%占空比）	>65:1 所有相角	0.62峰值（3dB 过驱）	50	无器件退化

1. 在87.5-108MHz的宽带参考电路上测量。
2. 在230MHz的窄带测试电路上测量。
3. 显示的值为指定频率范围内的最小测得性能数。

购买/参数

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文档

快速参考恩智浦文档类别.

1-5 / 7 文件

^数据手册
MRFE6VP5150NR1, MRFE6VP5150GNR1 1.8-600 MHz, 150 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

PDF版本 1Jul 25, 2014995.6 KBMRFE6VP5150NEnglish
^应用笔记
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

PDF版本 1May 12, 2004140.7 KBAN1987English
^{工程设计要点}
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF版本 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212English
^封装信息
98ASA10578D, TO, 17.0x9.0x2.59, Pitch 0.21, 4 Pins

PDF版本 EMar 17, 201675.2 KBSOT1736-2English
^封装信息
98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins

PDF版本 FJan 18, 201675.9 KBSOT1736-1English
^支持信息
Rugged Plastic for Industrial Applications

PDF版本 0May 23, 2014295.3 KBRF_RUGGED_PLASTIC_INDUSTRIAL_TRNEnglish
^白皮书
Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper

PDF版本 2Sep 24, 2015911.8 KBRFPLASTICWPEnglish

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设计文件

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5 设计文件

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^模型
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^模型
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML版本 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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^模型
MRFE6VP5150N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP版本 0Apr 2, 2015 00:00:00410.9 KBMRFE6VP5150N_MDL_AWR
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^模型
MRFE6VP5150N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP版本 1Jun 17, 2019 00:00:00135.5 KBMRFE6VP5150N_MDL_ADS
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^计算器
MRFE6VP5150N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX版本 0Apr 3, 2019 00:00:0091.3 KBMRFE6VP5150N-MTTF-CALC
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1.8-600MHz，150W连续波，50V LDMOS宽带射频功率晶体管

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特性

射频性能表

87.5-108MHz宽带

230MHz窄带

耐用性

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MRFE6VP5150NR1, MRFE6VP5150GNR1 1.8-600 MHz, 150 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

98ASA10578D, TO, 17.0x9.0x2.59, Pitch 0.21, 4 Pins

98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins

Rugged Plastic for Industrial Applications

Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper

设计资源

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MRFE6VP5150N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRFE6VP5150N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRFE6VP5150N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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