1.8-600MHz,1250W连续波,50V LDMOS宽带射频功率晶体管

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特性

  • 未匹配的输入和输出,可适用更宽的频率范围
  • 器件可用于单端或推挽配置中
  • 工作电压最高可达50VDD
  • 特征参数取样自30V至50V,适用于更宽的功率范围
  • 适用于有适当偏置的线性应用。
  • 集成的ESD保护,带有增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
  • 提供串联等效大信号阻抗参数
  • 符合RoHS规范
  • 推荐的驱动器:AFT05MS004N (4 W)或MRFE6VS25N (25 W)
  • 广播
    • FM广播
    • HF和VHF广播
  • 工业、科学和医疗(ISM)
    • CO2激光生成
    • 等离子蚀刻
    • 粒子加速器(同步加速器)
    • MRI
    • 工业加热/焊接
  • 航空航天
    • VHF全向信标(VOR)
    • 气象雷达
  • 移动无线电
    • HF和VHF通信
    • PMR基站

部件编号包含: MRFE6VP61K25GN, MRFE6VP61K25N.

射频性能表

典型性能

VDD = 50Vdc

负载不匹配/耐用性

1. 在87.5-108MHz的宽带参考电路上测量。
2. 显示的值为指定频率范围内的中央频段性能数。
3. 在230MHz的窄带测试电路上测量。

购买/参数










































































































文档

快速参考恩智浦 文档类别.

5 文件

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