MMRF1014N 产品信息|NXP

MMRF1014N

不推荐用于新设计

MMRF1014N

不推荐用于新设计

特点


LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V

封装


PLD4L: PLD4L, plastic, RF over-molded package designation; 4 terminals; 5.85 mm x 6.61 mm x 1.74 mm body

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MMRF1014NT1

不推荐用于新设计

12NC: 935318295515

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工作特点

参数
Frequency (Min) (MHz)
1
Frequency (Max) (MHz)
2000
Supply Voltage (Typ) (V)
28
参数
P1dB (Typ) (dBm)
36
P1dB (Typ) (W)
4
Die Technology
LDMOS

环境

部件/12NC无铅欧盟 RoHS无卤素RHF指标二级互连REACH SVHC重量(mg)
MMRF1014NT1(935318295515)
No
Yes
Certificate Of Analysis (CoA)
Yes
H
e3
REACH SVHC
280.0

质量

部件/12NC安全保障功能安全湿度灵敏度等级(MSL)封装体峰值温度(PPT)(C°)Maximum Time at Peak Temperatures (s)
铅焊接铅焊接无铅焊接铅焊接无铅焊接
MMRF1014NT1
(935318295515)
No
3
260
260
40
40

配送

部件/12NC协调关税 (美国)免责声明出口控制分类编号 (美国)
MMRF1014NT1
(935318295515)
854129
EAR99

产品变更通知

部件/12NC发行日期生效日期产品更改通知标题
MMRF1014NT1
(935318295515)
2020-12-152020-12-16202011011INXP Will Add a Sealed Date to the Product Label

更多信息 MMRF1014N

The MMRF1014NT1 is designed for Class A or Class AB power amplifier applications with frequencies up to 2000 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.