MMRF5018HS_射频功率GaN晶体管 | NXP 半导体

1-2700 MHz,125 W连续波,50V Airfast®射频功率GaN晶体管

滚动图片以放大

产品详情

功能

  • 先进的GaN on SiC工艺,提供极高的功率密度
  • 十年带宽使用寿命
  • 增强型热阻封装
  • 输入匹配,可延长宽带使用时间
  • 高耐用性,VSWR > 20:1
  • 符合RoHS规范

射频性能参数

典型450–2700 MHz性能

VDD = 50 Vdc, TA = 25°C, IDQ = 200 mA

负载不匹配/耐用性

1. 在450–2700MHz参考电路中测量。
2. 在2500MHz窄带测试电路中测量。

购买/参数

1 结果

包含 0 不推荐用于新设计

订购

计算机辅助设计模型

状态

Frequency (Min) (MHz)

Frequency (Max) (MHz)

Supply Voltage (Typ) (V)

P1dB (Typ) (dBm)

P1dB (Typ) (W)

模具技术

正常供应

1

2700

50

51

125

GaN

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

3 文件

紧凑列表

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

2 设计文件

支持

您需要什么帮助?

近期查看的产品

There are no recently viewed products to display.