AFV10700H_700 W脉冲,1030-1090 MHz,52 V | NXP 半导体

700 W脉冲,频率为1030-1090 MHz,52 V Airfast®LDMOS射频功率晶体管

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产品详情

特征

  • 内部匹配的输入和输出,支持宽带运营和易用性
  • 器件可用于单端、推挽或正交配置中
  • 工作电压最高可达55 VDD
  • 高耐用性,处理的VSWR > 20:1
  • 集成的ESD防护,带有增大负电压范围,改善C类放大器运行和栅电压脉冲
  • 推荐的驱动器:MRFE6VS25N (25 W) 或 MRF6V10010N (10 W)
  • 符合RoHS规范
  • 包含在产品长期供货计划中,自推出后至少保证15年供货

射频性能表

典型性能

在1030-1090 MHz参考电路中,IDQ(A+B) = 100 mA
频率
(MHz) (1)
信号类型 VDD
(V)
输出功率
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
1030脉冲
(128 µsec,10%占空比)
50800峰值17.552.1
1090700峰值19.056.1
103052850峰值17.551.7
1090770峰值19.256.1

典型性能

在1030 MHz窄带生产测试电路中,IDQ(A+B) = 100 mA
频率
(MHz)
信号类型 VDD
(V)
输出功率
(W)
Gps
(dB)
ηD
(%)
1030 (2)脉冲
(128 µsec,10%占空比)
50730峰值19.258.5

窄带负载不匹配/耐用性

频率
(MHz)
信号类型 VSWR 输入功率
(W)
测试
电压
结果
1030 (2)脉冲
(128 µsec,10%占空比)
> 20:1 (所有相角)17.2峰值
(3 dB过驱)
50无器件退化
1. 在1030-1090 MHz参考电路中测量。
2. 在1030 MHz窄带测试电路中测量。

购买/参数

4 结果

包含 0 不推荐用于新设计

订购

计算机辅助设计模型

状态

Frequency (Min) (MHz)

Frequency (Max) (MHz)

Supply Voltage (Typ) (V)

P1dB (Typ) (dBm)

P1dB (Typ) (W)

模具技术

正常供应

960

1215

52

58.5

700

LDMOS

正常供应

960

1215

52

58.5

700

LDMOS

正常供应

正常供应

960

1215

50

58.5

700

LDMOS

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

5 文件

紧凑列表

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

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