MMRF1317H_1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V

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RF Performance Tables

Typical Performance

In 1030, 1090 MHz reference circuit, V_DD = 50 Vdc, I_DQ(A+B) = 100 mA

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
1030⁽¹⁾	Pulse (128 µsec, 10% Duty Cycle)	1300 Peak	18.9	56.0
1090⁽¹⁾	Pulse (128 µsec, 10% Duty Cycle)	1100 Peak	18.8	57.9

Typical Narrowband Performance

V_DD = 50 Vdc, I_DQ(A+B) = 100 mA

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
1030⁽²⁾	Pulse (128 µsec, 10% Duty Cycle)	1300 Peak	18.2	58.1

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	Pin (W)	Test Voltage	Result
1030⁽²⁾	Pulse (128 µsec, 10% Duty Cycle)	> 10:1 at all Phase Angles	40 (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation

1. Measured in 1030, 1090 MHz reference circuit.
2. Measured in 1030 MHz narrowband test circuit.

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98ASB16977C, NI-1230H-4S, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins[SOT1787-1]

PDFOct 25, 2019版本更新 H
98ARB18247C, NI-1230S-4S, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins[SOT1829-1]

PDFFeb 23, 2016版本更新 H

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024版本更新 2
AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011版本更新 1

RF Military High Power Avionics Devices[MILITARY_HIGH_POWER_RADAR_TRN_SI]

PDFMar 25, 2016版本更新 0

MMRF1317H 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V Data Sheet[MMRF1317H]

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98ASB16977C, NI-1230H-4S, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins[SOT1787-1]

98ARB18247C, NI-1230S-4S, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins[SOT1829-1]

应用笔记 (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

支持信息 (1)

RF Military High Power Avionics Devices[MILITARY_HIGH_POWER_RADAR_TRN_SI]

数据手册 (1)

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应用笔记 (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

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