低电阻单刀三掷模拟开关,具有使能输入

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特征

  • 1.4 V至4.3 V的宽电源电压范围
  • 极低导通电阻(峰值):
    • VCC = 1.4 V时,1.65Ω(典型值)
    • VCC = 1.65 V时,0.95Ω(典型值)
    • VCC = 2.3 V时,0.55 Ω(典型值)
    • VCC = 2.7 V时,0.50 Ω(典型值)
    • VCC = 4.3 V时,0.50 Ω(典型值)
  • 先断后通式开关
  • 高抗噪性
  • ESD保护:
    • HBM JESD22-A114F 3A类超过7500 V
    • MM JESD22-A115-A超过200 V
    • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
    • IEC61000-4-2接触放电超过6000 V(适合开关端口)
  • CMOS低功耗
  • 闭锁性能超过100 mA,符合JESD 78B II类A级标准
  • VCC = 3.6 V时的1.8 V控制逻辑
  • 控制输入接受高于电源电压的电压
  • 极低电源电流,即使输入低于VCC
  • 大电流处理能力(3.3 V电源下为350 mA连续电流)
  • 额定温度范围为–40 °C至+85 °C和–40 °C至+125 °C

Target Applications

  • 手机
  • PDA
  • 便携式媒体播放器

购买/参数










































































































文档

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3 文件

设计文件

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1 设计文件

支持

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