低电阻单刀双掷模拟开关
产品详情
特征
- 宽电源电压范围从1.4 V至4.3 V
- 极低的导通电阻（峰值）：
- VCC = 1.4 V时为1.6 Ω（典型值）
- VCC = 1.65 V时为1.0 Ω（典型值）
- VCC = 2.3 V时为0.55 Ω（典型值）
- VCC = 2.7 V时为0.50Ω（典型值）
- VCC = 4.3 V时为0.50 Ω（典型值）
- 先断后通切换
- 高抗噪性
- ESD保护：
- HBM JESD22-A114E 3A类超过7500 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
- 开关端口的IEC61000-4-2接触放电超过8000 V
- 低功耗CMOS
- 闭锁性能超过JESD 78 II类A级规定的100 mA
- 1.8 V控制逻辑，VCC = 3.6 V
- 控制输入接受高于电源电压的电压
- 极低的电源电流，即便输入低于VCC
- 高电流处理能力（3.3 V供电时有350 mA的连续电流）
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
Target Applications
- 手机
- PDA
- 便携式媒体播放器
部件编号包含： NX3L1T3157GM.
购买/参数
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