双低电阻单刀单掷模拟开关
产品详情
特征
- 1.4 V至4.3 V的宽电源电压范围
- 极低导通电阻（峰值）：
- VCC = 1.4 V时，1.6Ω（典型值）
- VCC = 1.65 V时，1.0Ω（典型值）
- VCC = 2.3 V时，0.55 Ω（典型值）
- VCC = 2.7 V时，0.50 Ω（典型值）
- VCC = 4.3 V时，0.50 Ω（典型值）
- 高抗噪性
- ESD保护：
- HBM JESD22-A114F 3A类超过7500 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
- IEC61000-4-2接触放电超过4000 V（适合开关端口）
- CMOS低功耗
- 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类A级标准
- VCC = 3.6 V时的1.8 V控制逻辑
- 控制输入接受高于电源电压的电压
- 极低电源电流，即使输入低于VCC时
- 大电流处理能力（3.3 V电源下为350 mA连续电流）
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
Target Applications
- 手机
- PDA
- 便携式媒体播放器
部件编号包含： NX3L2T66GM, NX3L2T66GT.
购买/参数
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|