NX3L1G3157 | NXP 半导体

低电阻单刀双掷模拟开关

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NX3L1G3157 Block Diagram

NX3L1G3157, Q100 Block Diagram

NX3L1G3157 Logic Symbol Block Diagram

NX3L1G3157-Q100 Logic Symbol

特征

  • 宽电源电压范围从1.4 V至4.3 V
  • 极低的导通电阻:
    • VCC = 1.4 V时为1.6 Ω(典型值)
    • VCC = 1.65 V时为1.0 Ω(典型值)
    • VCC = 2.3 V时为0.55 Ω(典型值)
    • VCC = 2.7 V时为0.50Ω(典型值)
    • VCC = 4.3 V时为0.50 Ω(典型值)
  • 先断后通切换
  • 高抗噪性
  • ESD保护:
    • HBM JESD22-A114F 3A类超过7500 V
    • MM JESD22-A115-A超过200 V
    • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
    • 开关端口的IEC61000-4-2接触放电超过8000 V
  • 低功耗CMOS
  • 闭锁性能超过JESD78 II类A级规定的100 mA
  • 3.0 V TTL电平的直接接口
  • 控制输入接受高于电源电压的电压
  • 高电流处理能力(3.3 V供电时有350 mA的连续电流)
  • 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

Target Applications

  • 手机
  • PDA
  • 便携式媒体播放器

购买/参数

1 结果

包含 2 不推荐用于新设计

订购

计算机辅助设计模型

系列

状态

Configuration

功能

VCC (V)

Logic switching levels

RON (Ohm)

RON(FLAT)

f(-3dB) (MHz)

THD (%)

Xtalk (dB)

Power dissipation considerations

Tamb (°C)

Rth(j-a) (K/W)

th(j-top) (K/W)

封装类型

Number of pins

NX3

正常供应

SPDT-Z

single-pole, double-throw analog switch

1.4 - 4.3

CMOS/LVTTL

0.75

0.3

60

0.0024

-90

ultra low

-40~125

251

128

XSON6

6

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

1-10 / 11 文件

紧凑列表

包装信息 (3)
封装信息 (2)
应用笔记 (2)
支持信息 (2)
数据手册 (2)
展开

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

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