NX3DV221_带使能功能的高速USB 2.0开关 | NXP 半导体

带使能功能的高速USB 2.0开关

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框图

NX3DV221

NX3DV221 Block Diagram

特性

主要特性

  • 宽电源电压范围:2.3V至3.6V
  • 开关电压接受高达5.5V的信号
  • 当VCC=3.6V时,控制逻辑为1.8V
  • OE为高电平时的低功耗模式(最大值2µA)
  • 6Ω(最大值)导通电阻
  • 通道之间的0.1Ω(典型值)导通电阻不匹配
  • 6pF(典型值)通态电容
  • 高带宽(1.0GHz典型值)
  • 闭锁性能超过JESD 78B Class II A级规定的100mA

ESD防护

  • HBM JESD22-A114F Class 3A超过8000V
  • CDM JESD22-C101E超过1000V
  • HBM超过12000V,实现I/O接地保护
  • 指定温度范围:-40°C至+85°C

购买/参数










































































































文档

快速参考恩智浦 文档类别.

4 文件

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封装信息 (2)
数据手册 (1)

支持

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