NX3DV42 | NXP 半导体

双高速USB 2.0双刀双掷模拟开关

框图

NX3DV42

NX3DV42 Block Diagram

特性

一般特性

  • 电源电压范围:3.0V至4.3V
  • 4Ω典型导通电阻
  • 7.3pF典型导通电容
  • 950MHz典型带宽或数据频率
  • 240MHz时-30dB的低串扰
  • 先断后通式开关
  • 8个可编程输入(电池开关或接地开关)和14个接地开关输入
  • 典型待机电流:VBATP=30uA,VDD=10uA
  • 集成电池和温度传感

ESD防护

  • HBM JESD22-A114F Class 3A超过4000V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000V
  • HBM超过12000V,实现电源接地保护
  • 闭锁性能超过100mA,符合JESD 78 Class II A级标准
  • 额定温度范围:-40°C至+125°C

购买/参数










































































































文档

快速参考恩智浦 文档类别.

9 文件

紧凑列表

包装信息 (3)
封装信息 (4)
应用笔记 (1)
数据手册 (1)

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

1 设计文件

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