A3G26H200W17S 2496-2690 MHz, 34 W Avg, 48 V | NXP 半导体

2496-2690 MHz, 34 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

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Features

  • High terminal impedances for optimal broadband performance
  • Advanced high performance in-package Doherty
  • Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
  • RoHS compliant

RF Performance Table

2600 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 48 Vdc, IDQA = 120 mA, VGSB = –5.3 Vdc, Pout = 34 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
 
Frequency Gps
(dB)
ηD
(%)
Output PAR
(dB)
ACPR
(dBc)
2496 MHz14.754.28.1–29.3
2590 MHz14.855.57.9–30.9
2690 MHz14.254.07.8–34.1

购买/参数

1 结果

不包含 1 不推荐用于新设计

计算机辅助设计模型

状态

Frequency (Min) (MHz)

Frequency (Max) (MHz)

Supply Voltage (Typ) (V)

Peak Power (Typ) (dBm)

Peak Power (Typ) (W)

模具技术

使用寿命终止

2496

2690

48

52.5

178

GaN

文档

快速参考恩智浦 文档类别.

2 文件

紧凑列表

设计文件

快速参考恩智浦 设计文件类型.

4 设计文件

支持

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