A3T23H300W23S_2300-2400 MHz, 63 W Avg, 30 V

产品详情

Features

Advanced high performance in-package Doherty
Designed for wide instantaneous bandwidth applications
Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
Designed for digital predistortion error correction systems
RoHS compliant

RF Performance Table

2300 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 30 Vdc, I_DQA = 500 mA, V_GSB = 0.7 Vdc, P_out = 63 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
2300 MHz	15.6	49.3	8.4	–30.1
2350 MHz	16.1	48.7	8.5	–31.9
2400 MHz	16.1	48.0	8.2	–32.7

购买/参数

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4 文件

紧凑列表

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

PDFJun 21, 2017版本更新 A

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004版本更新 0

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011版本更新 1

A3T23H300W23S 2300-2400 MHz, 63 W Avg, 30 V Data Sheet[A3T23H300W23S]

PDFJul 12, 2018版本更新 0

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4 设计文件

模型
A3T23H300W23S Carrier S-Parameters

S2P版本 0Jul 12, 2018272.4 KBA3T23H300W23S-Carrier

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A3T23H300W23S Peaking Class C S-Parameters

S2P版本 0Jul 12, 2018272.4 KBA3T23H300W23S-Peaking-Class-C

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A3T23H300W23S Peaking Class AB S-Parameters

S2P版本 0Jul 12, 2018272.4 KBA3T23H300W23S-Peaking-Class-AB

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印刷电路板与电路图
A3T23H300W23S 2300 MHz PCB DXF file

ZIP版本 2Jul 12, 201821.4 KBA3T23H300W23S-2300-PCB

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2300-2400 MHz, 63 W Avg., 30 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

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2300 MHz

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封装信息 (1)

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

应用笔记 (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

数据手册 (1)

A3T23H300W23S 2300-2400 MHz, 63 W Avg, 30 V Data Sheet[A3T23H300W23S]

过滤方式

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98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

工程设计要点 (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

应用笔记 (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

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A3T23H300W23S Carrier S-Parameters

A3T23H300W23S Peaking Class C S-Parameters

A3T23H300W23S Peaking Class AB S-Parameters

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A3T23H300W23S Carrier S-Parameters

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