A3G26H350W17S_2496-2690 MHz，59 W平均值，48 V

A3G26H350W17S_2496-2690 MHz，59 W平均值，48 V | NXP 半导体

A3G26H350W17S 59 W非对称Doherty GaN射频功率晶体管专为2496到2690 MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。

该部件的特征参数和性能适用于运行在2496–2690 MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。

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特征

高终端阻抗，支持最佳宽带性能
先进的高性能内部封装Doherty
利用新一代信号改进线性化误差矢量幅值
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
符合RoHS规范

射频性能表

2600 MHz

典型Doherty单载波W-CDMA特征性能：V_DD = 48 Vdc，I_DQA = 250 mA，V_GSB = -5.5 Vdc，_输出功率 = 59 W平均值，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)
2496 MHz	13.3	49.9	8.9	-33.2
2590 MHz	13.5	48.5	9.1	-37.2
2690 MHz	13.3	48.5	8.9	-34.5

购买/参数

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文档

快速参考恩智浦文档类别.

2 文件

紧凑列表

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011版本更新 1

A3G26H350W17S 2496-2690 MHz, 59 W Avg, 48 V Data Sheet[A3G26H350W17S]

PDFJan 20, 2021版本更新 1

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4 设计文件

模型
A3G26H350W17S Peaking Class AB S-Parameters

S2P版本 0Nov 12, 202022.7 KBA3G26H350W17S-PEAKING-CLASS-AB

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模型
A3G26H350W17S Carrier Class AB S-Parameters

S2P版本 0Nov 12, 202022.7 KBA3G26H350W17S-CARRIER-CLASS-AB

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A3G26H350W17S Peaking Class C S-Parameters

S2P版本 0Nov 12, 202022.7 KBA3G26H350W17S-PEAKING-CLASS-C

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印刷电路板与电路图
A3G26H350W17S 2600 MHz PCB DXF file

ZIP版本 3Nov 12, 202037.6 KBA3G26H350W17S-2600-PCB

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