A3G23H500W17S 2300-2400 MHz, 80 W平均值, 48 V

A3G23H500W17S 2300-2400 MHz, 80 W平均值, 48 V | NXP 半导体

A3G23H500W17S 80 W非对称Doherty GaN射频功率晶体管专为2300到2400 MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。

该部件的特征参数和性能适用于运行在2300–2400 MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用，则无法保证其性能。

查看产品图片

数据手册

应用笔记

产品详情

特征

高终端阻抗，支持最佳宽带性能
先进的高性能内部封装Doherty
利用新一代信号改进线性化误差矢量幅值
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
符合RoHS规范

射频性能表

2300 MHz

典型Doherty单载波W-CDMA性能：V_DD = 48 Vdc，I_DQA = 300 mA，V_GSB = -5.0 Vdc，平均输出功率 = 80 W，输入信号PAR = 9.9 dB @ 0.01% CCDF。

频率	G_ps (dB)	η_D (%)	输出PAR (dB)	ACPR (dBc)
2300 MHz	14.5	53.7	8.4	-30.5
2350 MHz	14.6	52.8	8.3	-30.6
2400 MHz	14.2	53.2	8.1	-31.9

购买/参数

‌ ‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌	‌ ‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌
‌ ‌ ‌	‌	‌	‌	‌	‌

文档

快速参考恩智浦文档类别.

3 文件

紧凑列表

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024版本更新 2
AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011版本更新 1

A3G23H500W17S 2300-2400 MHz, 80 W Avg, 48 V Data Sheet[A3G23H500W17S]

PDFMay 3, 2021版本更新 1

设计资源

设计文件

快速参考恩智浦设计文件类型.

5 设计文件

模型
A3G23H500W17S Carrier Class AB S-Parameters

S2P版本 0Apr 23, 202126.1 KBA3G23H500W17S-Carrier-Class-AB

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
A3G23H500W17S Peaking Class AB S-Parameters

S2P版本 0Apr 23, 202126.1 KBA3G23H500W17S-Peaking-Class-AB

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
模型
A3G23H500W17S Peaking Class C S-Parameters

S2P版本 0Apr 23, 202126.1 KBA3G23H500W17S-Peaking-Class-C

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
印刷电路板与电路图
A3G23H500W17S 2600 MHz PCB DXF file

ZIP版本 1Apr 23, 202126.4 KBA3G23H500W17S-2300-PCB

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队
设计文件-其他
A3G23H500W17S 2300-2400 MHz Design Files

ZIP版本 0Nov 18, 2021668.7 KBA3G23H500W17S-2300-2400-MHZ

请登录
下载Toggle Dropdown
- 加入列队
- 从列队中删除
- 文档较大时推荐使用。
- 查看列队

支持

您需要什么帮助?

近期查看的产品

There are no recently viewed products to display.

购物车

2300-2400 MHz，80 W 平均值，48 V Airfast®射频功率GaN晶体管

产品详情

特征

射频性能表

2300 MHz

购买/参数

文档

过滤方式

应用笔记 (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

数据手册 (1)

A3G23H500W17S 2300-2400 MHz, 80 W Avg, 48 V Data Sheet[A3G23H500W17S]

过滤方式

应用笔记 (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

数据手册 (1)

A3G23H500W17S 2300-2400 MHz, 80 W Avg, 48 V Data Sheet[A3G23H500W17S]

设计资源

设计文件

过滤方式

A3G23H500W17S Carrier Class AB S-Parameters

A3G23H500W17S Peaking Class AB S-Parameters

A3G23H500W17S Peaking Class C S-Parameters

A3G23H500W17S 2600 MHz PCB DXF file

A3G23H500W17S 2300-2400 MHz Design Files

过滤方式

筛选条件

A3G23H500W17S Carrier Class AB S-Parameters

A3G23H500W17S Peaking Class AB S-Parameters

A3G23H500W17S Peaking Class C S-Parameters

A3G23H500W17S 2600 MHz PCB DXF file

A3G23H500W17S 2300-2400 MHz Design Files

支持

您需要什么帮助?

推荐链接

近期查看的产品

2300-2400 MHz，80 W 平均值，48 V Airfast^®射频功率GaN晶体管