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4 MB串行SPI EEPROM
产品详情
特征
- 紧凑式晶圆级芯片封装(WLCSP)
- 7.8 mm2，厚度为380 µm
- 13个凸起，间距为400 µm
- 集成式电源管理单元(PMU)
- VDD电源电压范围：1.0 V至2.0 V
- VDD(IO)电源电压范围：VDD至2.6 V
- 可从ZnAir、NiMH、银-锌电池直接操作
- 有源峰值电流限值
- 低电流消耗
- 平均掉电电流： < 5 µA
- 平均读取电流：0.6 mA (VDD = VDD(IO) = 1.8 V, FSPI = 5 MHz)
- 平均写入电流：0.7 mA (VDD = VDD(IO) = 1.8 V, FSPI = 5 MHz)
- CMOS低功耗技术
- 辅助电源电压支持LED直接驱动
- 自定时程序周期
- 256字节页写入缓冲区
- 允许部分页面写入
- 写保护
- 四分之一、一半或整个内存阵列
- 串行外设接口(SPI)
- 1.2 V信号电平时，速度可达5 MHz
- 1.8 V信号电平时，速度可达10 MHz
- 支持SPI模式0 (0,0)和3 (1,1)
- SPI 3线支持SPI模式0
- 固定高电源模式，实现更快的启动
- 节省空间2.80 mm x 2.74 mm，采用晶圆级芯片封装(WLCSP)
- 高度集成：1个外部帽
- 高可靠性
- 数据保存期为10年
- 500000个程序周期
- 磨损管理
- 工作温度范围：-20 °C至+85 °C
- 支持不同的电源配置
- 设备ID和唯一ID
- 符合RoHS标准的无铅封装
购买/参数
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