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X3G-OH047、X3G-OH048、X3T-OH047和X3T-OH048均为灵敏的磁场传感器,具有薄膜坡莫合金的磁阻效应。这些传感器集成两个平行供电的惠斯通电桥,相互之间的相对角度为45°。
表面与芯片(x-y平面)平行的旋转磁场将产生两个独立的正弦输出信号,一个遵循cos(2α)函数,另一个遵循sin(2α)函数;α表示传感器和磁场方向之间的角度。
X3G-OH047、X3G-OH048、X3T-OH047和X3T-OH048适用于低磁场强度条件下的高精度角度测量应用(饱和磁场强度为25 kA/m)。
传感器的工作频率范围为直流至1 MHz。
数据手册中的所有产品型号均针对单芯片(单个传感器)有效。双芯片器件集成两个磁场传感器,其电磁参数表征的是单芯片的额定值,并且互相之间无关。
部件编号包含: X3G-OH047, X3G-OH048, X3T-OH048.
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