设计文件
收到完整的详细信息。 请参阅产品足迹及更多信息 电子CAD文件.
X3G-OH047、X3G-OH048、X3T-OH047和X3T-OH048均为灵敏的磁场传感器,具有薄膜坡莫合金的磁阻效应。这些传感器集成两个平行供电的惠斯通电桥,相互之间的相对角度为45°。
表面与芯片(x-y平面)平行的旋转磁场将产生两个独立的正弦输出信号,一个遵循cos(2α)函数,另一个遵循sin(2α)函数;α表示传感器和磁场方向之间的角度。
X3G-OH047、X3G-OH048、X3T-OH047和X3T-OH048适用于低磁场强度条件下的高精度角度测量应用(饱和磁场强度为25 kA/m)。
传感器的工作频率范围为直流至1 MHz。
数据手册中的所有产品型号均针对单芯片(单个传感器)有效。双芯片器件集成两个磁场传感器,其电磁参数表征的是单芯片的额定值,并且互相之间无关。
|
|
|
|
|
|
---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
快速参考恩智浦 文档类别.
3 文件
安全文件正在加载,请稍等